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1. (WO2016051595) LEAD FRAME AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/051595    International Application No.:    PCT/JP2014/076571
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 03.10.2014
IPC:
H01L 23/50 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: SAKAMOTO, Ken; (JP).
SHIKANO, Taketoshi; (JP).
KAWASHIMA, Hiroshi; (JP)
Agent: TAKADA, Mamoru; (JP)
Priority Data:
Title (EN) LEAD FRAME AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) GRILLE DE CONNEXION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) リードフレーム、半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN) The present invention is characterized in comprising a first lead terminal, a second lead terminal provided parallel to the first lead terminal, and a tie bar connecting the first lead terminal and the second lead terminal; the tie bar being provided with a first narrow-width section in contact with the first lead terminal, a second narrow-width section in contact with the second lead terminal, and a wide-width section that is wider than the first narrow-width section and the second narrow-width section and connects the first narrow-width section and the second narrow-width section; a through hole being formed in the portion of the wide-width section between the first narrow-width section and the second narrow-width section.
(FR) La présente invention est caractérisée en ce qu'elle comprend une première borne de connexion, une seconde borne de connexion placée parallèle à la première borne de connexion, et une barre de liaison reliant la première borne de connexion et la seconde borne de connexion ; la barre de liaison étant pourvue d'une première section à petite largeur en contact avec la première borne de connexion, d'une seconde section à petite largeur en contact avec la seconde borne de connexion, et d'une section à grande largeur qui est plus large que la première section à petite largeur et la seconde section à petite largeur et relie la première section à petite largeur et la seconde section à petite largeur ; un trou traversant étant formé dans la partie de la section à grande largeur entre la première section à petite largeur et la seconde section à petite largeur.
(JA) 第1リード端子と、該第1リード端子と平行に設けられた第2リード端子と、該第1リード端子と該第2リード端子を接続するタイバーと、を備え、該タイバーは、該第1リード端子に接する第1幅狭部と、該第2リード端子に接する第2幅狭部と、該第1幅狭部と該第2幅狭部よりも幅が広く、該第1幅狭部と該第2幅狭部をつなぐ幅広部と、を備え、該幅広部のうち該第1幅狭部と該第2幅狭部の間の部分には貫通孔が形成されたことを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)