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1. (WO2016051022) TEMPERATURE COMPENSATED BEAM RESONATOR
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Pub. No.: WO/2016/051022 International Application No.: PCT/FI2015/050657
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 02.10.2015
IPC:
H03H 9/24 (2006.01) ,H03H 9/02 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9
Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
24
Constructional features of resonators of material which is not piezo-electric, electrostrictive, or magnetostrictive
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9
Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
02
Details
Applicants:
TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY [FI/FI]; Vuorimiehentie 3 FI-02150 Espoo, FI
Inventors:
JAAKKOLA, Antti; FI
PEKKO, Panu; FI
PRUNNILA, Mika; FI
PENSALA, Tuomas; FI
Agent:
SEPPO LAINE OY; Itämerenkatu 3 B FI-00180 Helsinki, FI
Priority Data:
2014586803.10.2014FI
Title (EN) TEMPERATURE COMPENSATED BEAM RESONATOR
(FR) RÉSONATEUR À FAISCEAU COMPENSÉ EN TEMPÉRATURE
Abstract:
(EN) The invention provides a microelectromechanical resonator device comprising a support structure and a resonator manufactured on a (100) or (110) semiconductor wafer, wherein the resonator is suspended to the support structure and comprises at least one beam being doped to a doping concentration of 1.1*1020 cm-3 or more with an n-type doping agent and is being capable of resonating in a length-extensional, flexural resonance or torsional mode upon suitable actuation. In particular, the doping concentration and angle of the beam are chosen so as to simultaneously produce zero or close to zero second order TCF, and even more preferably zero or close to zero first and second order TCFs, for the resonator in said resonance mode, thus providing a temperature stable resonator.
(FR) L'invention concerne un dispositif de résonateur micro-électromécanique qui comprend une structure de support et un résonateur fabriqué sur une tranche (100) ou (110) de semi-conducteur, et est caractérisé en ce que le résonateur est suspendu à la structure de support et comprend au moins un faisceau qui est dopé à une concentration d'au moins 1.1*1020 cm-3 avec un agent de dopage de type n, et est capable de résonner dans une résonance à flexion, à extension en longueur, ou mode à torsion, lors d'un actionnement approprié. En particulier, la concentration de dopage et l'angle du faisceau sont choisis de manière à produire simultanément un TCF de second ordre, nul ou proche de zéro, et encore plus préférablement des TCF de premier et second ordre, nuls ou proches de zéro, pour le résonateur dans ledit mode de résonance, permettant ainsi d'obtenir un résonateur stable en température.
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Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
US20160099703EP3202036CN107005223JP2017536012