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1. (WO2016050614) SELF-REFERENCED MRAM CELL AND MAGNETIC FIELD SENSOR COMPRISING THE SELF-REFERENCED MRAM CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2016/050614 International Application No.: PCT/EP2015/072029
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 24.09.2015
IPC:
G11C 11/16 (2006.01) ,G01R 33/09 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
11
Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02
using magnetic elements
16
using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
R
MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33
Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02
Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06
using galvano-magnetic devices
09
Magneto-resistive devices
Applicants: CROCUS TECHNOLOGY SA[FR/FR]; 5, place Robert Schuman F-38025 Grenoble, FR
Inventors: STAINER, Quentin; FR
Agent: P&TS SA; Av. J-J. Rousseau 4 2000 Neuchâtel, CH
Priority Data:
14290298.003.10.2014EP
Title (EN) SELF-REFERENCED MRAM CELL AND MAGNETIC FIELD SENSOR COMPRISING THE SELF-REFERENCED MRAM CELL
(FR) CELLULE MRAM AUTO-RÉFÉRENCÉE ET CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE COMPRENANT LA CELLULE MRAM AUTO-RÉFÉRENCÉE
Abstract:
(EN) The present disclosure concerns a self-referenced MRAM cell (1) comprising a reference layer(23) having a fixed reference magnetization (230), a sense layer (21) having a free sense magnetization (210),a tunnel barrier (22), a biasing layer (25) having bias magnetization (250) and a biasing antiferromagnetic layer (27) pinning the bias magnetization (250) in a bias direction when MRAM cell (1) is at temperature equal or below a bias threshold temperature (TB); the bias magnetization (250) being arranged for inducing a bias field (251) adapted for biasing the sense magnetization (210) in a direction opposed to the bias direction, such that the biased sense magnetization (210) varies linearly in the presence of the external magnetic field, when the external magnetic field is oriented in a direction substantially perpendicular to the one of the reference magnetization (230). The present disclosure further concerns a magnetic field sensor (100) comprising a plurality of the self-referenced MRAM cell (1) and a method for programming the magnetic field sensor.
(FR) La présente invention concerne une cellule MRAM auto-référencée (1) comprenant une couche de référence (23) ayant une magnétisation de référence fixe (230), une couche de détection (21) ayant une magnétisation de détection libre (210), une barrière tunnel (22), une couche de polarisation (25) ayant une magnétisation de polarisation (250) et une couche antiferromagnétique de polarisation (27) fixant la magnétisation de polarisation (250) dans une direction de polarisation lorsque la cellule MRAM (1) est à une température inférieure ou égale à une température seuil de polarisation (TB) ; la magnétisation de polarisation (250) étant définie pour induire un champ de polarisation (251) adapté pour polariser la magnétisation de détection (210) dans une direction opposée à la direction de polarisation, de sorte que la magnétisation de détection polarisée (210) varie linéairement en présence du champ magnétique externe, lorsque le champ magnétique externe est orienté dans une direction sensiblement perpendiculaire à celle de la magnétisation de référence (230). La présente invention concerne de plus un capteur de champ magnétique (100) comprenant une pluralité des cellules MRAM auto-référencées (1) et un procédé de programmation du capteur de champ magnétique.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)