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1. (WO2016050170) STORAGE ARRAY PROGRAMMING METHOD AND DEVICE FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/050170    International Application No.:    PCT/CN2015/090690
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 25.09.2015
IPC:
G11C 16/02 (2006.01), G11C 16/06 (2006.01)
Applicants: XI'AN UNIIC SEMICONDUCTORS CO., LTD. [CN/CN]; 4F, Building A No.38 Gaoxin 6th Rd High-tech Industries Development Zone Xi'an, Shaanxi 710075 (CN)
Inventors: HAN, Xiaowei; (CN)
Agent: PEKSUNG INTELLECTUAL PROPERTY LTD.; 908 Shining Tower 35 Xueyuan Road, Haidian District Beijing 100191 (CN)
Priority Data:
201410521542.3 30.09.2014 CN
Title (EN) STORAGE ARRAY PROGRAMMING METHOD AND DEVICE FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE PROGRAMMATION DE MATRICE DE STOCKAGE POUR UNE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE
(ZH) 阻变随机存储器的存储阵列编程方法和装置
Abstract: front page image
(EN)A storage array programming method and device for a resistive random access memory (RAM), the resistive RAM comprising a storage array, the storage array comprising a group of storage units to which data is to be written; the programming method comprises: reading the currently stored data in the group of storage units and comparing bit by bit the currently stored data with the data to be written to determine whether the currently stored data is consistent with the data to be written, and generating a data write status according to the determination result; determining the data write status, and by a set operation or a reset operation, writing the data to be written only to the storage units where the currently stored data is inconsistent with the data to be written; checking whether any storage unit having a write failure exists during the set operation or the reset operation; if so, then repeating the previous steps until the writing is completed. The programming method can avoid repetitive writing, thus not only reducing write interference with a unit to improve writing efficiency of the unit, but also reducing power consumption of writing.
(FR)L’invention concerne un procédé et un dispositif de programmation de matrice de stockage pour une mémoire vive (RAM) résistive, la RAM résistive comprenant une matrice de stockage, la matrice de stockage comprenant un groupe d'unités de stockage dans lequel des données doivent être écrites. Le procédé de programmation comprend les étapes consistant : à lire les données actuellement stockées dans le groupe d'unités de stockage et à comparer, bit par bit, les données actuellement stockées aux données à écrire pour déterminer si les données actuellement stockées sont ou non cohérentes avec les données à écrire, et à générer un état d'écriture de données selon le résultat de détermination ; à déterminer l'état d'écriture de données, et par une opération de réglage ou une opération de réinitialisation, à écrire les données à écrire uniquement dans les unités de stockage dans lesquelles les données actuellement stockées ne sont pas cohérentes avec les données à écrire ; à vérifier si une unité de stockage quelconque ayant un échec d'écriture existe ou non pendant l'opération de réglage ou l'opération de réinitialisation ; si tel est le cas, alors à répéter les étapes précédentes jusqu'à ce que l'écriture soit terminée. Le procédé de programmation peut éviter une écriture répétitive, permettant ainsi non seulement de réduire le brouillage d'écriture avec une unité pour améliorer l'efficacité d'écriture de l'unité, mais également de réduire la consommation d'énergie de l'écriture.
(ZH)一种用于阻变随机存储器的存储阵列编程方法和装置。该阻变随机存储器包括一个存储阵列,该存储阵列包括将要写入数据的一组存储单元。所述编程方法包括:读取该组存储单元的当前存储数据,将当前存储数据与要写入的数据逐位进行比较,判断当前存储数据与要写入的数据是否一致,并根据判断的结果,产生写数据状态;判断写数据状态,通过置位操作或复位操作将要写入的数据仅写入当前存储数据与要写入的数据不一致的存储单元;检验置位操作或复位操作中是否有未写成功的存储单元,如果有,就重复上述步骤,直到写入结束。该编程方法可以避免重复写入,不仅减少对单元自身的写打扰,提高单元持久力,而且可以降低写功耗。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)