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1. (WO2016049992) VERTICAL DOUBLE-DIFFUSED METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/049992    International Application No.:    PCT/CN2014/095925
Publication Date: 07.04.2016 International Filing Date: 31.12.2014
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/36 (2006.01)
Applicants: WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; No. 180-22, Linghu Road, Taihu International Science and Technology Park Wuxi, Jiangsu 214135 (CN)
Inventors: SUN, Xiaoru; (CN).
ZHOU, Hongwei; (CN).
RUAN, Mengbo; (CN)
Agent: BEYOND ATTORNEYS AT LAW; F6, Xijin Centre 39 Lianhuachi East Rd., Haidian District Beijing 100036 (CN)
Priority Data:
201410514651.2 29.09.2014 CN
Title (EN) VERTICAL DOUBLE-DIFFUSED METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP MÉTAL-OXYDE-SEMI-CONDUCTEUR À DOUBLE DIFFUSION VERTICALE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a vertical double-diffused metal-oxide semiconductor field-effect transistor and a manufacturing method therefor. The manufacturing method for the field-effect transistor comprises: providing a substrate of a first conductive type; growing a first epitaxial layer of the first conductive type above the substrate; forming column regions of the first conductive type and column regions of a second conductive type that are spaced in a staggered manner above the first epitaxial layer; forming a third epitaxial layer of the first conductive type above the column regions of the first conductive type, and forming a well region of the second conductive type above the column regions of the second conductive type; forming a gate region on the surface of the third epitaxial layer; forming a source region of the first conductive type in the well region of the second conductive type; and forming a gate metal layer, a source metal layer and a drain metal layer. In the present invention, by adding the first epitaxial layer and adding the column regions of the first conductive type and the column regions of the second conductive type that are formed in a staggered manner in the second epitaxial layer, the on-resistance is greatly reduced.
(FR)La présente invention concerne un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur à double diffusion verticale et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication du transistor à effet de champ consiste : à produire un substrat d'un premier type de conductivité ; à faire croître une première couche épitaxiale du premier type de conductivité au-dessus du substrat ; à former des zones en colonne du premier type de conductivité et des zones en colonne d'un second type de conductivité qui sont espacées d'une manière étagée au-dessus de la première couche épitaxiale ; à former une troisième couche épitaxiale du premier type de conductivité au-dessus des zones en colonne du premier type de conductivité, et former une zone de puits du second type de conductivité au-dessus des zones en colonne du second type de conductivité ; à former une zone de grille sur la surface de la troisième couche épitaxiale ; à former une zone de source du premier type de conductivité dans la zone de puits du second type de conductivité ; et à former une couche métallique de grille, une couche métallique de source et une couche métallique de drain. Dans la présente invention, par ajout de la première couche épitaxiale et ajout des zones en colonne du premier type de conductivité et des zones en colonne du second type de conductivité qui sont formées d'une manière étagée dans une deuxième couche épitaxiale, la résistance à l'état de marche est fortement réduite.
(ZH)本发明提供了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法,所述场效应管的制作方法包括:提供第一导电类型衬底;在衬底上方生长具有第一导电类型的第一外延层;在第一外延层上方形成交替相间的第一导电类型柱区和第二导电类型柱区;在第一导电类型柱区上方形成具有第一导电类型的第三外延层,以及在第二导电类型柱区上方形成第二导电类型阱区;在第三外延层表面形成栅极区;在第二导电类型阱区内形成第一导电类型源区;形成栅极金属层、源极金属层和漏极金属层。本发明通过增加第一外延层和在第二外延层中形成的交替相间的第一导电类型柱区和第二导电类型柱区,大大降低了导通电阻。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)