(EN) A radiation detector according to an embodiment of the present invention is provided with a plurality of pixels, a scintillator layer, and a conductive light-shielding film. Each pixel includes a photoelectric conversion element disposed such that a node thereof faces upward and a field-effect transistor electrically connected to the node. The scintillator layer is disposed above the photoelectric conversion elements and converts radiation into light. The light-shielding film prevents incident light from striking the photoelectric conversion elements. For a portion of the plurality of pixels, the light-shielding film is disposed in a gap between the photoelectric conversion element and the scintillator layer and is electrically connected to the upper surface of the photoelectric conversion element.
(FR) La présente invetion concerne un détecteur de rayonnement qui, dans un mode de réalisation, est pourvu d'une pluralité de pixels, d'une couche de scintillateur et d'un film conducteur de protection contre la lumière. Chaque pixel comprend un élément de conversion photoélectrique disposé de telle manière qu'un nœud de celui-ci fasse face vers le haut et un transistor à effet de champ électriquement connecté au nœud. La couche de scintillateur est disposée au-dessus des éléments de conversion photoélectrique et convertit un rayonnement en lumière. Le film de protection contre la lumière empêche la lumière incidente de frapper les éléments de conversion photoélectrique. Pour une partie de la pluralité de pixels, le film de protection contre la lumière est disposé dans un espace entre l'élément de conversion photoélectrique et la couche de scintillateur et est électriquement connecté à la surface supérieure de l'élément de conversion photoélectrique.
(JA) 本技術の一実施の形態の放射線検出器は、複数の画素と、シンチレータ層と、導電性の遮光膜とを備える。各画素は、ノードを上面に向けて配置された光電変換素子と、ノードに電気的に接続された電界効果型のトランジスタとを含む。シンチレータ層は、光電変換素子の上方に配置されており、放射線を光に変換する。遮光膜は、入射光の、光電変換素子への入射を遮る。遮光膜は、複数の画素のうち一部の画素において、光電変換素子とシンチレータ層との間隙に配置されると共に光電変換素子の上面に電気的に接続されている。