(EN) The present invention relates to ⌈a chemical vapor deposition (CVD) process chamber component positioned within a chemical vapor deposition (CVD) process chamber, wherein the component is a three-dimensional object formed of a material containing an aluminum element; an aluminum fluoride (AlF3) generation barrier film without cracks is formed along a three-dimensional surface of the component; the aluminum fluoride generation barrier film is formed by spray coating the surface of the component with a ceramic powder containing yttrium (Y) or composed of at least one of SiC, ZrO2, ZrC, TiO2, TiN, TiC, TiCN, TiCl2, and HfO2; and a delamination phenomenon does not occur at the edge and surface of the component⌋.
(FR) La présente invention concerne un composant d'enceinte de traitement par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) placé à l'intérieur d'une chambre de traitement par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le composant étant un objet tridimensionnel constitué d'un matériau contenant un élément d'aluminium ; un film barrière empêchant la formation de fluorure d'aluminium (AlF3), sans fissures, est formé le long d'une surface tridimensionnelle du composant ; le film barrière empêchant la génération de fluorure d'aluminium est formé par pulvérisation, sur la surface du composant, d'une poudre céramique contenant de l'yttrium (Y) ou composée d'au moins un composant parmi SiC, ZrO2, ZrC, TiO2, TiN, TiC, TiCN, TiCl2 et HfO2 ; et un phénomène de délamination ne se produit pas au niveau du bord ni de la surface du composant.
(KO) 본 발명은 「화학기상증착(CVD; chemical vapor deposition) 공정챔버의 내부에 위치한 부품(component)으로서, 상기 부품은 알루미늄 원소가 포함된 재질로 구성된 3차원 물체이고, 상기 부품의 3차원 표면을 따라 균열이 없는 불화알루미늄(AlF3) 생성방지막이 형성되어 있으며, 상기 불화알루미늄 생성방지막은 이트륨(Y, yttrium)을 포함하거나 SiC, ZrO2, ZrC, TiO2, TiN, TiC, TiCN, TiCl2, HfO2 중 어느 하나 이상의 성분으로 구성된 세라믹 파우더가 상기 부품의 표면에 분사 코팅됨으로써 형성된 것이고, 상기 부품의 모서리 및 면에서 탈리현상이 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 CVD 공정챔버 부품」에 관한 것이다.