(EN) The purpose of the present invention is to diagnose whether or not the overcurrent detection function of a power conversion device with respect to a power semiconductor element is operating normally. This power conversion device is provided with an IGBT (328, 330) as a power semiconductor element for performing a switching operation to convert DC power fed from a DC power supply into AC power, an overcurrent detection circuit (230), and an overcurrent simulation circuit (250). The IGBT (328, 330) has an emitter sense terminal (340) for outputting a sense current (341) that corresponds to a current flowing in an emitter electrode. The overcurrent detection circuit (230) detects an overcurrent flowing in the IGBT (328, 330) on the basis of a sense current (341) outputted from the emitter sense terminal (340). The overcurrent simulation circuit (250) outputs, to the overcurrent detection circuit (230), a simulation signal (251) in which the overcurrent flowing in the IGBT (328, 330) is simulated.
(FR) L'objet de la présente invention est de diagnostiquer si la fonction de détection de surintensité d'un dispositif de conversion de puissance par rapport à un élément semi-conducteur de puissance fonctionne normalement ou non. Ce dispositif de conversion de puissance comporte un IGBT (328, 330) comme élément semi-conducteur de puissance pour l'exécution d'une opération de commutation pour convertir une puissance en CC provenant d'une alimentation électrique en CC en une puissance en CA, un circuit de détection de surintensité (230), et un circuit de simulation de surintensité (250). L'IGBT (328, 330) comporte une borne de détermination d'émetteur (340) pour la transmission d'un courant de détermination (341) qui correspond à un courant circulant dans une électrode d'émetteur. Le circuit de détection de surintensité (230) détecte une surintensité du courant circulant dans l'IGBT (328, 330) sur la base d'un courant de détermination (341) provenant de la borne de détermination d'émetteur (340). Le circuit de simulation de surintensité (250) transmet, au circuit de détection de surintensité (230), un signal de simulation (251) dans lequel la surintensité du courant circulant dans l'IGBT (328, 330) est simulée.
(JA) 本発明の目的は、電力変換装置のパワー半導体素子に対する過電流検知機能が正常であるか否かを診断することである。本発明の電力変換装置は、直流電源から供給される直流電力を交流電力に変換するためのスイッチング動作を行うパワー半導体素子としてのIGBT(328,330)と、過電流検知回路(230)と、過電流模擬回路(250)とを備える。IGBT(328,330)は、エミッタ電極に流れる電流に応じたセンス電流(341)を出力するエミッタセンス端子(340)を有している。過電流検知回路(230)は、エミッタセンス端子(340)から出力されるセンス電流(341)に基づいて、IGBT(328,330)に流れる過電流を検知する。過電流模擬回路(250)は、IGBT(328,330)に流れる過電流を模擬した模擬信号(251)を過電流検知回路(230)に出力する。