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1. WO2015137090 - ELASTIC WAVE DEVICE

Publication Number WO/2015/137090
Publication Date 17.09.2015
International Application No. PCT/JP2015/054769
International Filing Date 20.02.2015
IPC
H03H 9/145 2006.1
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
02Details
125Driving means, e.g. electrodes, coils
145for networks using surface acoustic waves
H03H 9/25 2006.1
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
25Constructional features of resonators using surface acoustic waves
CPC
H03H 9/02559
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02535of surface acoustic wave devices
02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
02559of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
H03H 9/14544
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
125Driving means, e.g. electrodes, coils
145for networks using surface acoustic waves
14544Transducers of particular shape or position
H03H 9/64
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
46Filters
64using surface acoustic waves
Applicants
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 門田 道雄 KADOTA, Michio
Agents
  • 特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI
Priority Data
2014-05038113.03.2014JP
Publication Language Japanese (ja)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abstract
(EN) Provided is an elastic wave device that can achieve increased acoustic velocity and decreased loss. In an elastic wave device (1), an interdigital transducer (IDT) electrode (3) is provided on a LiNbO3 substrate (2), an aluminum nitride film (4) or a silicon nitride film is layered so as to cover the IDT electrode (3), and leakage elastic waves are used. The IDT electrode (3) comprises one type of metal chosen from the group consisting of copper, aluminum, gold, platinum, and nickel. If the Eulerian angle of the LiNbO3 is (0° ± 5°, θ, 0° ± 5°), the wavelength-standardized thickness of the IDT electrode (3) is X, and θ of the Eulerian angle is Y, then Y, which is the θ of the Eulerian angle, is set to a designated range in accordance with the range of the wavelength-standardized thickness of the IDT electrode (3) in accordance with the range of the wavelength-standardized thickness of the aluminum nitride film (4) or the silicon nitride film and the type of metal making up the IDT electrode (3).
(FR) La présente invention concerne un dispositif à ondes élastiques qui peut atteindre une plus grande vitesse acoustique et une plus petite perte. Dans un dispositif à ondes élastiques (1), une électrode de transducteur internumérique (IDT) (3) est située sur un substrat en LiNbO3 (2), un film de nitrure d'aluminium (4) ou un film de nitrure de silicium est stratifié de façon à recouvrir l'électrode d'IDT (3), et des ondes élastiques de fuite sont utilisées. L'électrode d'IDT (3) comprend un type de métal choisi dans le groupe constitué du cuivre, de l'aluminium, de l'or, du platine et du nickel. Si l'angle eulérien du LiNbO3 est (0° ± 5°, θ, 0° ± 5°), l'épaisseur normalisée par longueur d'onde de l'électrode d'IDT (3) est X, et le θ de l'angle eulérien est Y, alors Y, qui est le θ de l'angle eulérien, est défini dans une plage déterminée en fonction de la plage d'épaisseur normalisée par longueur d'onde de l'électrode d'IDT (3) en fonction de la plage d'épaisseur normalisée par longueur d'onde du film de nitrure d'aluminium (4) ou du film de nitrure de silicium et du type de métal constituant l'électrode d'IDT (3).
(JA)  高音速化と低損失化とを果たし得る、弾性波装置を提供する。 LiNbO基板2上にIDT電極3が設けられており、IDT電極3を覆うように窒化アルミニウム膜4または窒化ケイ素膜が積層されており、漏洩弾性波を利用している弾性波装置1。IDT電極3が、Cu、Al、Au、Pt及びNiからなる群から選択した1種の金属からなる。LiNbOのオイラー角を(0°±5°,θ,0°±5°)、IDT電極3の波長規格化厚みをX、オイラー角のθをYとしたときに、窒化アルミニウム膜4または窒化ケイ素膜の波長規格化厚み範囲と、IDT電極3を構成している金属の種類に応じて、オイラー角のθであるYが、IDT電極3の波長規格化厚みの範囲に応じて特定の範囲とされている、弾性波装置1。
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