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1. (WO2015127459) METHODS AND TECHNIQUES TO USE WITH PHOTOSENSITIZED CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST CHEMICALS AND PROCESSES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/127459    International Application No.:    PCT/US2015/017347
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 24.02.2015
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325 (JP).
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741 (US) (JP only)
Inventors: CARCASI, Michael A.; (US).
HOOGE, Joshua S.; (US).
RATHSACK, Benjamen M.; (US).
NAGAHARA, Seiji; (JP)
Agent: MEHIGAN, Jason D.; (US)
Priority Data:
61/944,041 24.02.2014 US
Title (EN) METHODS AND TECHNIQUES TO USE WITH PHOTOSENSITIZED CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST CHEMICALS AND PROCESSES
(FR) PROCÉDÉS ET TECHNIQUES À UTILISER AVEC DES PRODUITS CHIMIQUES ET DES TRAITEMENTS DE RÉSERVE AMPLIFIÉE PHOTOSENSIBILISÉE CHIMIQUEMENT
Abstract: front page image
(EN)The disclosure herein describes methods for Photosensitized Chemically Amplified Resist Chemicals (PS-CAR) to pattern light sensitive films on a semiconductor substrate. In one embodiment, a two-step exposure process may generate higher acid concentration regions within a photoresist layer. The PS-CAR chemicals may include photoacid generators (PAGs) and photosensitizer elements that enhance the decomposition of the PAGs into acid. The first exposure may be a patterned EUV exposure that generates an initial amount of acid and photosensitizer. The second exposure may be a non-EUV flood exposure that excites the photosensitizer which increases the acid generation rate where the photosensitizer is located on the substrate. The distribution of energy during the exposures may be optimized by using certain characteristics (e.g., thickness, index of refraction, doping) of the photoresist layer, an underlying layer, and/or an overlying layer.
(FR)La présente invention concerne des procédés destinés à des produits chimiques de réserve amplifiée photosensibilisée chimiquement (PS-CAR) en vue de former des motifs de films photosensibles sur un substrat semi-conducteur. Dans un mode de réalisation, un traitement d'exposition en deux étapes peut générer des régions à concentration en acide supérieure à l'intérieur d'une couche de résine photosensible. Les produits chimiques de PS-CAR peuvent comprendre des générateurs de photoacides (PAG) et des éléments photosensibilisateurs qui améliorent la décomposition des PAG en acide. La première exposition peut consister en une exposition UV extrême à motifs qui génère une quantité initiale d'acide et de photosensibilisateur. La seconde exposition peut consister en une exposition par projection de rayons autres qu'UV extrême qui excite le photosensibilisateur qui augmente le taux de production d'acide au niveau du positionnement du photosensibilisateur sur le substrat. La répartition d'énergie au cours des expositions peut être optimisée à l'aide de certaines caractéristiques (par exemple, l'épaisseur, l'indice de réfraction, le dopage) de la couche de résine photosensible, d'une couche sous-jacente, et/ou d'une couche sus-jacente.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)