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1. (WO2015127081) CURRENT COLLECTOR FOR LEAD ACID BATTERY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/127081    International Application No.:    PCT/US2015/016622
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 19.02.2015
IPC:
H01M 4/1395 (2010.01), H01M 6/42 (2006.01), H01M 6/48 (2006.01)
Applicants: GRIDTENTIAL ENERGY, INC. [US/US]; 5941 Optical Court Suite 218A San Jose, California 95138 (US)
Inventors: MUI, Collin Kwok Leung; (US).
MOOMAW, Daniel Jason; (US)
Agent: MADDEN, Robert B.; (US)
Priority Data:
61/941,756 19.02.2014 US
Title (EN) CURRENT COLLECTOR FOR LEAD ACID BATTERY
(FR) COLLECTEUR DE COURANT POUR UNE BATTERIE PLOMB-ACIDE
Abstract: front page image
(EN)Apparatus and techniques are described herein for providing a bipolar battery plate such as can be included as a portion of an energy storage device assembly, such as a battery. The bipolar battery plate can include a silicon substrate. A first metal layer can be deposited on a first surface of the rigid silicon substrate, and a different second metal layer can be deposited on a second surface of the rigid silicon substrate opposite the first surface. The first and second metal layers can be annealed to form a first silicide on the first surface and a different second silicide on the second surface of the rigid silicon substrate.
(FR)L'invention concerne un appareil et des techniques permettant la fourniture d'une plaque de batterie bipolaire de telle sorte qu'elle puisse être incluse comme partie intégrante d'un ensemble de dispositif de stockage d'énergie, tel qu'une batterie. La plaque de batterie bipolaire peut comprendre un substrat de silicium. Une première couche métallique peut être déposée sur une première surface du substrat de silicium rigide et une seconde couche métallique peut être déposée sur une seconde surface du substrat de silicium rigide qui est opposée à la première surface. Les première et seconde couches métalliques peuvent être recuites pour former un premier siliciure sur la première surface et un second siliciure sur la seconde surface du substrat de silicium rigide.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)