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1. (WO2015126906) RESISTIVE MEMORY CELL WITH SLOPED BOTTOM ELECTRODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/126906    International Application No.:    PCT/US2015/016321
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 18.02.2015
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
Applicants: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED [US/US]; 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ 85224-6199 (US)
Inventors: WALLS, James; (US).
FEST, Paul; (US)
Agent: SLAYDEN, Bruce, W., II; (US)
Priority Data:
14/184,034 19.02.2014 US
Title (EN) RESISTIVE MEMORY CELL WITH SLOPED BOTTOM ELECTRODE
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE RÉSISTIVE AYANT UNE ÉLECTRODE INFÉRIEURE INCLINÉE
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a resistive memory cell, e.g., a CBRAM or ReRAM cell, may include forming a plurality of bottom electrode connections (302), depositing a bottom electrode layer (310) over the bottom electrode connections, performing an etch to remove portions of the bottom electrode layer to form at least one upwardly-pointing bottom electrode region (340) above the bottom electrode connections, each upwardly-pointing bottom electrode region defining a bottom electrode tip, and forming an electrolyte region (350) and a top electrode (352) over each bottom electrode tip such that the electrolyte region is arranged between the top electrode and the respective bottom electrode top.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de former une cellule de mémoire résistive, par exemple une cellule de mémoire CBRAM ou ReRAM, ledit procédé pouvant consister à former une pluralité de connexions d'électrode inférieure (302), à déposer une couche d'électrode inférieure (310) sur les connexions d'électrode inférieure, à réaliser une gravure pour enlever des parties de la couche d'électrode inférieure afin de former au moins une région d'électrode inférieure orientée vers le haut (340) au-dessus des connexions d'électrode inférieure, chaque région d'électrode inférieure orientée vers le haut définissant une pointe d'électrode inférieure, et à former une région d'électrolyte (350) et une électrode supérieure (352) au-dessus de chaque pointe d'électrode inférieure de manière que la région d'électrolyte est disposée entre l'électrode supérieure et la pointe d'électrode inférieure respective.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)