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1. (WO2015126861) RESISTIVE MEMORY CELL HAVING A REDUCED CONDUCTIVE PATH AREA
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2015/126861 International Application No.: PCT/US2015/016244
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 18.02.2015
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45
Solid state devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
Applicants: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED[US/US]; 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ 85224-6199, US
Inventors: FEST, Paul; US
WALLS, James; US
Agent: SLAYDEN II, Bruce, W.; US
Priority Data:
14/184,26819.02.2014US
Title (EN) RESISTIVE MEMORY CELL HAVING A REDUCED CONDUCTIVE PATH AREA
(FR) CELLULE MÉMOIRE RÉSISTIVE PRÉSENTANT UNE AIRE DE CHEMIN CONDUCTEUR RÉDUITE
Abstract:
(EN) A method of forming a resistive memory cell (140), e.g., a CBRAM or ReRAM, may include forming a bottom electrode layer (102), oxidizing an exposed region of the bottom electrode layer to form an oxide region (110), removing a region of the bottom electrode layer proximate the oxide region, thereby forming a bottom electrode (102A) having a pointed tip region (114) adjacent the oxide region, and forming an electrolyte region (120A) and top electrode (122A) over at least a portion of the bottom electrode and oxide region, such that the electrolyte region is arranged between the pointed tip region of the bottom electrode and the top electrode, and provides a path for conductive filament or vacancy chain formation from the pointed tip region of the bottom electrode to the top electrode when a voltage bias is applied to the memory cell. A memory cell and memory cell array formed by such method are also disclosed.
(FR) L'invention concerne un procédé consistant à former une cellule mémoire résistive (140), par ex. une CBRAM ou une ReRAM, qui peut consister à former une couche d'électrode inférieure (102), à oxyder une zone découverte de la couche d'électrode inférieure pour former une zone d'oxyde (110), à retirer une zone de la couche d'électrode inférieure proche de la zone d'oxyde, formant ainsi une électrode inférieure (102A) comportant une zone d'extrémité pointue (114) adjacente à la zone d'oxyde, et à former une zone d'électrolyte (120A) et une électrode supérieure (122A) au-dessus d'au moins une partie de l'électrode inférieure et de la zone d'oxyde, de sorte que la zone d'électrolyte soit agencée entre la zone d'extrémité pointue de l'électrode inférieure et l'électrode supérieure, et constitue un chemin pour la formation d'un filament conducteur ou d'une chaîne de vacance de la zone d'extrémité pointue de l'électrode inférieure à l'électrode supérieure quand une polarisation en tension est appliquée à la cellule mémoire. L'invention concerne également une cellule mémoire et une barrette de cellules mémoire formées par un tel procédé.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)