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1. (WO2015126812) METHOD FOR MULTIPLYING PATTERN DENSITY BY CROSSING MULTIPLE PATTERNED LAYERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/126812    International Application No.:    PCT/US2015/016120
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 17.02.2015
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325 (JP).
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741 (US) (JP only)
Inventors: DEVILLIERS, Anton J.; (US)
Agent: MATHER, Joshua D.; (US)
Priority Data:
61/943,483 23.02.2014 US
Title (EN) METHOD FOR MULTIPLYING PATTERN DENSITY BY CROSSING MULTIPLE PATTERNED LAYERS
(FR) PROCÉDÉ POUR MULTIPLIER LA DENSITÉ DE MOTIFS PAR CROISEMENT DE MULTIPLES COUCHES À MOTIFS
Abstract: front page image
(EN)Techniques disclosed herein include increasing pattern density for creating high-resolution contact openings, slots, trenches, and other features. A first line-generation sequence creates a first layer of parallel lines of alternating and differing material by using double-stacked mandrels, sidewall image transfer, and novel planarization schemes. This line-generation sequence is repeated on top of the first layer of parallel lines, but with the second layer of parallel lines of alternating and differing material being oriented to elevationally cross lines of the first layer. Etching selective to one of the materials within the double stack of parallel lines results in defining a pattern of openings, slots, etc., which can be transferred into underlying layers. Such patterning techniques herein can quadruple a density of features in a given pattern, which can be described as created a pitch quad.
(FR)L'invention concerne des techniques consistant à augmenter la densité de motifs pour créer des ouvertures de contact, des fentes, des tranchées, et d'autres éléments à haute résolution. Une première séquence de génération de lignes crée une première couche de lignes parallèles de matériaux alternés et différents au moyen de mandrins à double empilement, d'un transfert d'image de paroi latérale et de nouveaux procédés de planarisation. Cette séquence de génération de lignes est répétée sur la partie supérieure de la première couche de lignes parallèles, mais la seconde couche de lignes parallèles de matériaux alternés et différents est orientée pour croiser, en élévation, les lignes de la première couche. Une gravure sélective de l'un des matériaux à l'intérieur de l'empilement double de lignes parallèles entraîne la définition d'un motif d'ouvertures, de fentes, etc., qui peut être transféré à des couches sous-jacentes. Les techniques de formation de motifs de la présente invention peuvent quadrupler une densité d'éléments dans un motif donné, ce qui peut être décrit comme créant un quart de pas.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)