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1. (WO2015126775) LOW-K DIELECTRIC LAYER WITH REDUCED DIELECTRIC CONSTANT AND STRENGTHENED MECHANICAL PROPERTIES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/126775    International Application No.:    PCT/US2015/016012
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 16.02.2015
IPC:
H01L 21/316 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: KIM, Taewan; (US).
YIM, Kang Sub; (US).
DEMOS, Alexandros T.; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; (US)
Priority Data:
61/941,400 18.02.2014 US
Title (EN) LOW-K DIELECTRIC LAYER WITH REDUCED DIELECTRIC CONSTANT AND STRENGTHENED MECHANICAL PROPERTIES
(FR) COUCHE DIÉLECTRIQUE À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE ET À PROPRIÉTÉS MÉCANIQUES RENFORCÉES
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the present invention generally provide a method and apparatus for forming a low-k dielectric porous silicon oxycarbon layer within an integrated circuit. In one embodiment, a method is provided for depositing a porogen and bulk layer containing silicon oxycarbon layer, selectively removing the porogens from the formed layer without simultaneously cross-linking the bulk layer, and then cross-linking the bulk layer material. In other embodiments, methods are provided for depositing multiple silicon oxycarbon sublayers, selectively removing porogens from each sub-layer without simultaneously cross-linking the bulk material of the sub-layer, and separately cross-linking the sub-layers.
(FR)Selon certains modes de réalisation, la présente invention concerne d'une manière générale un procédé et un appareil destinés à former une couche diélectrique poreuse à faible constante diélectrique à base d'oxycarbure de silicium à l'intérieur d'un circuit intégré. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé comprenant les étapes consistant à : déposer un agent porogène et une couche massive contenant une couche d'oxycarbure de silicium ; éliminer sélectivement les agents porogènes de la couche formée sans réticulation simultanée de la couche massive ; et par ensuite réticuler le matériau de la couche massive. Selon d'autres modes de réalisation, l'invention concerne des procédés comprenant les étapes consistant à : déposer une pluralité de sous-couches d'oxycarbure de silicium ; éliminer sélectivement les agents porogènes de chaque sous-couche sans réticulation simultanée du matériau massif de la sous-couche ; et réticuler séparément les sous-couches.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)