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1. (WO2015126575) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHODS FOR MANUFACTURING THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2015/126575 International Application No.: PCT/US2015/012975
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 27.01.2015
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01)
Applicants: GENERAL ELECTRIC COMPANY[US/US]; 1 River Road Schenectady, NY 12345, US
Inventors: MCMAHON, James, Jay; US
STEVANOVIC, Ljubisa, Dragoljub; US
ARTHUR, Stephen, Daley; US
GORCZYCA, Thomas, Bert; US
BEAUPRE, Richard, Alfred; US
STUM, Zachary, Matthew; US
BOLOTNIKOV, Alexander, Viktorovich; US
Agent: MUNNERLYN, William, S.; US
Priority Data:
14/182,76518.02.2014US
Title (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHODS FOR MANUFACTURING THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN) A semiconductor device is presented. The device includes a semiconductor layer including silicon carbide, and having a first surface and a second surface. A gate insulating layer is disposed on a portion of the first surface of the semiconductor layer, and a gate electrode is disposed on the gate insulating layer. The device further includes an oxide disposed between the gate insulating layer and the gate electrode at a corner adjacent an edge of the gate electrode so as the gate insulating layer has a greater thickness at the corner than a thickness at a center of the layer. A method for fabricating the device is also provided.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs. Le dispositif comprend une couche semi-conductrice comprenant du carbure de silicium, et ayant une première surface et une seconde surface. Une couche d'isolation de grille est disposée sur une partie de la première surface de la couche semi-conductrice, et une électrode grille est disposée sur la couche d'isolation de grille. Le dispositif comprend en outre un oxyde disposé entre la couche d'isolation de grille et l'électrode grille au niveau d'un coin adjacent à un bord de l'électrode grille, de telle sorte que la couche d'isolation de grille présente une épaisseur supérieure au niveau du coin qu'une épaisseur au niveau d'un centre de la couche. L'invention concerne également un procédé de fabrication du dispositif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)