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1. (WO2015126439) METHOD AND APPARATUS FOR PASSIVATING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/126439    International Application No.:    PCT/US2014/035335
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 24.04.2014
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/042 (2014.01), H01L 21/66 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventors: PONNEKANTI, Hari, K.; (US).
POLYAK, Alexander, S.; (US).
L'HEUREUX, James; (US).
LIU, Yongsheng; (US).
KARISIDDAPPA, Marulasiddeswara; (IN).
STEWART, Michael, P.; (US).
NGUYEN, Van, H.; (US).
UPADHYE, Bahubali, S.; (IN).
MURTHY, Ch. P.P.C. Srinivasa; (IN).
HAMMOND, Edward; (US).
KAPSASKIS, Dionysio; (US).
LANE, Christopher, T.; (US)
Agent: PATTERSON, Todd, B.; Patterson & Sheridan, L.L.P. 24 Greenway Plaza, Suite 1600 Houston, TX 77046-2472 (US)
Priority Data:
877/CHE/2014 21.02.2014 IN
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PASSIVATING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PASSIVATION DE CELLULES SOLAIRES EN SILICIUM CRISTALLIN
Abstract: front page image
(EN)The present invention generally provides a high throughput substrate processing system that is used to form one or more regions of a solar cell device. In one configuration of a processing system, one or more solar cell passivating or dielectric layers are deposited and further processed within one or more processing chambers contained within the high throughput substrate processing system. The processing chambers may be, for example, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) chambers, low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) chambers, atomic layer deposition (ALD) chambers, physical vapor deposition (PVD) or sputtering chambers, thermal processing chambers (e.g., RTA or RTO chambers), substrate reorientation chambers (e.g., flipping chambers) and/or other similar processing chambers.
(FR)La présente invention concerne d'une manière générale un système de traitement de substrat à haut débit qui est utilisé pour former une ou plusieurs régions d'un dispositif de cellule solaire. Dans une configuration d'un système de traitement, une ou plusieurs couches de passivation ou diélectriques de cellule solaire sont déposées et soumises à un autre traitement à l'intérieur d'une ou plusieurs chambres de traitement contenues à l'intérieur du système de traitement de substrat à haut débit. Les chambres de traitement peuvent être, par exemple, des chambres de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD), des chambres de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), des chambres de dépôt de couche atomique (ALD), des chambres de dépôt physique en phase vapeur (PVD) ou de pulvérisation cathodique, des chambres de traitement thermique (par exemple des chambres RTA ou RTO), des chambres de réorientation de substrat (par exemple des chambres de retournement) et/ou d'autres chambres de traitement similaires.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)