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1. (WO2015125999) COF-TYPE SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/125999    International Application No.:    PCT/KR2014/002814
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 02.04.2014
IPC:
H01L 23/28 (2006.01)
Applicants: DONGBU HITEK CO., LTD. [KR/KR]; (Daechi-dong) 432, Teheran-ro Gangnam-gu Seoul 135-523 (KR)
Inventors: KIM, Jun Il; (KR).
KIM, Sung Jin; (KR).
KIM, Hag Mo; (KR)
Agent: LEE, Dong Gun; (4F 402, Wonil Building, Nonhyun-dong) 7, Nonhyun-ro 120-gil Gangnam-gu Seoul 135-829 (KR)
Priority Data:
10-2014-0021243 24.02.2014 KR
Title (EN) COF-TYPE SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) BOÎTIER POUR SEMICONDUCTEUR DE TYPE COF ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 씨오에프형 반도체 패키지 및 그 제조 방법
Abstract: front page image
(EN)A COF-type semiconductor package, according to the present embodiment, is a semiconductor package which uses a flexible film as a base film and is used in a driver IC for a display device, comprising: electrode patterns formed on top of the base film; conductive pads which are electrically connected to the electrode patterns; a semiconductor element which is electrically connected to the electrode patterns through the conductive pads and is installed on top of the electrode patterns; and a first protective layer, for sealing the conductive pads and the semiconductor element and dissipating heat generated from the semiconductor element, wherein the first protective layer comprises underfill placed under the semiconductor element, sidefill formed on side surfaces of the semiconductor element and on top of the electrode patterns, and upperfill formed to cover the upper surface of the semiconductor element.
(FR)Selon le présent mode de réalisation de l'invention, un boîtier pour semiconducteur de type COF est un boîtier pour semiconducteur qui utilise un film souple en tant que film de base et qui est utilisé dans un circuit intégré d'attaque pour un dispositif d'affichage, comprenant : des motifs d'électrode formés sur le dessus du film de base ; des pastilles conductrices qui sont reliées électriquement aux motifs d'électrode ; un élément semiconducteur qui est relié électriquement aux motifs d'électrode par le biais des pastilles conductrices et qui est installé sur le dessus des motifs d'électrode ; et une première couche de protection, destinée à sceller les pastilles conductrices et l'élément semiconducteur et à dissiper la chaleur générée depuis l'élément semiconducteur. La première couche de protection comprend une masse de remplissage inférieure placée sous l'élément semiconducteur, une masse de remplissage latérale formée sur les surfaces latérales de l'élément semiconducteur et sur le dessus des motifs d'électrode, et une masse de remplissage supérieure formée de manière à couvrir la surface supérieure de l'élément semiconducteur.
(KO)본 실시예의 씨오에프형 반도체 패키지는, 플렉서블 필름을 베이스 필름으로 사용하고, 디스플레이 기기에 사용되는 드라이버 IC용 반도체 패키지로서, 상기 베이스 필름 상에 형성되는 전극 패턴들; 상기 전극 패턴들과 전기적으로 연결되는 전도성 패드들; 상기 전도성 패드들을 통하여 상기 전극 패턴들과 전기적으로 연결되고, 상기 전극 패턴들 상에 장착되는 반도체 소자; 및 상기 반도체 소자와 전도성 패드들을 밀폐시키고, 상기 반도체 소자로부터 발생되는 열을 방열시키기 위한 제 1 보호층;을 포함하고, 상기 제 1 보호층은, 상기 반도체 소자의 하부에 위치하는 언더필과, 상기 반도체 소자의 측면 및 상기 전극 패턴 상에 형성되는 사이드필과, 상기 반도체 소자의 상부면을 덮도록 형성되는 어퍼필을 포함한다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)