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1. (WO2015125722) COMPOSITE SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/125722    International Application No.:    PCT/JP2015/054085
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 16.02.2015
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventors: KAWAI Makoto; (JP).
KONISHI Shigeru; (JP)
Agent: KOJIMA Takashi; (JP)
Priority Data:
2014-031461 21.02.2014 JP
Title (EN) COMPOSITE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE
(JA) 複合基板
Abstract: front page image
(EN)This composite substrate has a single-crystal semiconductor thin film (13) provided to at least the front surface of an inorganic insulating sintered-body substrate (11) having a thermal conductivity of at least 5 W/m∙K and a volume resistivity of at least 1×108 Ω∙cm. The composite substrate also has, provided between the inorganic insulating sintered-body substrate (11) and the single-crystal semiconductor thin film (13), a silicon coating layer (12) comprising polycrystalline silicon or amorphous silicon. As a result of the present invention, metal impurity contamination from the sintered body can be inhibited, even in a composite substrate in which a single-crystal silicon thin film is provided upon an inexpensive ceramic sintered body which is opaque with respect to visible light, which exhibits an excellent thermal conductivity, and which further exhibits little loss at a high frequency range, and characteristics can be improved.
(FR)L'invention concerne un substrat composite qui possède un film mince semi-conducteur monocristallin (13) sur au moins une surface d'un substrat de corps fritté isolant inorganique (11) dont la conductibilité thermique est supérieure ou égale à 5W/m.K, et la résistivité en volume est supérieure ou égale à 1×108Ω.cm. Le substrat composite de l'invention possède une couche de revêtement de silicium (12) constitutuée d'un silicium polycristallin ou d'un silicium amorphe entre ledit substrat de corps fritté isolant inorganique (11) et ledit film mince semi-conducteur monocristallin (13). Selon l'invention, y compris dans le cas où le substrat composite est opaque à la lumière visible et présente des propriétés de conduction thermique satisfaisantes, et où les pertes dans une zone de hautes fréquences sont faibles et un film mince de silicium monocristallin est agencé sur un corps fritté en céramique, une contamination par impuretés de métal provenant du corps fritté est empêchée, et une amélioration des caractéristiques est possible.
(JA) 熱伝導率が5W/m・K以上、かつ体積抵抗率が1×108Ω・cm以上の無機絶縁性焼結体基板11の少なくとも表面に単結晶半導体薄膜13を有する複合基板において、前記無機絶縁性焼結体基板11と単結晶半導体薄膜13との間に多結晶シリコン又はアモルファスシリコンからなるシリコン被覆層12を有する複合基板。 本発明により、可視光に不透明で熱伝導性がよく、更に高周波領域での損失が小さく、かつ安価なセラミックス焼結体上に単結晶シリコン薄膜を設けた複合基板であっても焼結体からの金属不純物汚染を抑制し、特性を向上させることが可能となる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)