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1. (WO2015125493) RADICAL SOURCE AND MOLECULAR BEAM EPITAXY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/125493    International Application No.:    PCT/JP2015/000864
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 23.02.2015
IPC:
H05H 1/46 (2006.01), C23C 14/24 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY [JP/JP]; 1, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya-shi, Aichi 4648601 (JP).
NU SYSTEM CORPORATION [JP/JP]; 415, Kanare 1-chome, Meito-ku,, Nagoya-shi, Aichi 4650005 (JP)
Inventors: HORI, Masaru; (JP).
ODA, Osamu; (JP).
KANO, Hiroyuki; (JP)
Agent: FUJITANI, Osamu; (JP)
Priority Data:
2014-033099 24.02.2014 JP
Title (EN) RADICAL SOURCE AND MOLECULAR BEAM EPITAXY DEVICE
(FR) SOURCE DE RADICAUX ET DISPOSITIF D'ÉPITAXIE PAR JETS MOLÉCULAIRES
(JA) ラジカル源及び分子線エピタキシー装置
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To achieve a radical source that can generate high-density radicals. [Solution] This radical source has: a supply tube (10) that comprises SUS; and a cylindrical plasma generation tube (11) that connects to the supply tube (10) and that comprises pyrolytic boron nitride (PBN). A cylindrical first CCP electrode (13) and a cylindrical second CCP electrode (30) are arranged on the outside of the plasma generation tube (11). A coil (12) wound along the outer periphery of the plasma generation tube (11) is provided downstream of the first CCP electrode (13). A narrow connecting tube (23) extends from the base of the plasma generation tube (11). The connecting tube (23) is inserted into the supply tube (10).
(FR)Le problème posé est de produire une source de radicaux pouvant générer des radicaux de haute densité. La solution selon l'invention concerne une source de radicaux pourvue d'un tube d'alimentation (10) qui comprend SUS et d'un tube cylindrique de génération de plasma (11) qui se raccorde au tube d'alimentation (10) et comprend du nitrure de bore pyrolytique (PBN). Une première électrode CCP cylindrique (13) et une seconde électrode CCP cylindrique (30) sont agencées sur l'extérieur du tube de génération de plasma (11). Une bobine (12) est enroulée le long de la périphérie extérieure du tube de génération de plasma (11) vers le côté aval de la première électrode CCP (13). Un tube de raccordement étroit (23) s'étend depuis la base du tube de génération de plasma (11). Le tube de raccordement (23) est inséré dans le tube d'alimentation (10).
(JA)【課題】高密度なラジカルを生成することが可能なラジカル源を実現すること。 【解決手段】ラジカル源は、SUSからなる供給管10と、供給管10に接続する熱分解窒化ホウ素(PBN)からなる円筒状のプラズマ生成管11を有している。プラズマ生成管11の外側には、円筒形の第1CCP電極13、第2CCP電極30が配置されている。第1CCP電極13よりも下流側には、プラズマ生成管11の外周に沿って巻かれたコイル12が配設されている。プラズマ生成管11の底からは細く伸びた結合管23が存在し、この結合管23は供給管10の内部に挿入されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)