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1. (WO2015125449) VARIABLE-RESISTANCE ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/125449    International Application No.:    PCT/JP2015/000680
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 13.02.2015
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP)
Inventors: FUKUDA, Natsuki; (JP).
FUKUJU, Kazunori; (JP).
MIYAGUCHI, Yuusuke; (JP).
NISHIOKA, Yutaka; (JP).
SUU, Koukou; (JP)
Agent: OMORI, Junichi; (JP)
Priority Data:
2014-032520 24.02.2014 JP
Title (EN) VARIABLE-RESISTANCE ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ÉLÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 抵抗変化素子及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a low-cost variable-resistance element and a method for producing same. [Solution] The variable-resistance element (1) in one embodiment of the present invention is equipped with a bottom electrode layer (3), a top electrode layer (5), and an oxide semiconductor layer (4). The top electrode layer (5) is formed from a carbon material. The oxide semiconductor layer (4) has a first metal oxide layer (41) and a second metal oxide layer (42). The first metal oxide layer (41) is formed between the bottom electrode layer (3) and the top electrode layer (5), and has a first resistivity. The second metal oxide layer (42) is formed between the first metal oxide layer (41) and the top electrode layer (5), and has a second resistivity differing from the first resistivity.
(FR)Cette invention concerne un élément à résistance variable à coût réduit et son procédé de fabrication. Selon un mode de réalisation de l'invention, ledit élément à résistance variable (1) comprend une couche d'électrode inférieure (3), une couche d'électrode supérieure (5), et une couche d'oxyde semi-conducteur (4). Ladite couche d'électrode supérieure (5) est faite d'un matériau à base de carbone. Ladite couche d'oxyde semi-conducteur (4) comprend une première couche d'oxyde métallique (41) et une seconde couche d'oxyde métallique (42). Ladite première couche d'oxyde métallique (41) est formée entre la couche d'électrode (3) et la couche d'électrode supérieure (5), et elle présente une première résistivité. Ladite seconde couche d'oxyde métallique (42) est formée entre la première couche d'oxyde métallique (41) et la couche d'électrode supérieure (5), et elle présente une seconde résistivité différente de la première résistivité.
(JA)【課題】低コストな抵抗変化素子及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】本発明の一実施形態に係る抵抗変化素子1は、下部電極層3と、上部電極層5と、酸化物半導体層4とを具備する。上部電極層5は、炭素材料で形成される。酸化物半導体層4は、第1の金属酸化物層41と、第2の金属酸化物層42とを有する。第1の金属酸化物層41は、下部電極層3と上部電極層5との間に形成され、第1の抵抗率を有する。第2の金属酸化物層42は、第1の金属酸化物層41と上部電極層5との間に形成され、第1の抵抗率とは異なる第2の抵抗率を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)