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1. (WO2015125425) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL AND SILICON SINGLE CRYSTAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/125425    International Application No.:    PCT/JP2015/000489
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 04.02.2015
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/00 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventors: HOSHI, Ryoji; (JP).
TOKUE, Junya; (JP).
MATSUMOTO, Suguru; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Priority Data:
2014-032474 24.02.2014 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL AND SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM ET MONOCRISTAL DE SILICIUM AINSI OBTENU
(JA) シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶
Abstract: front page image
(EN)The present invention is a method for manufacturing a silicon single crystal, the method being for growing silicon single crystal by the Czochralski process and being characterized in that a silicon single crystal is grown such that the diffusion distance of point defects in the silicon single crystal is equal to or greater than the radius of the silicon single crystal, with the thermal history of a central portion of a silicon single crystal from a melting point (Tm) to a grown-in defect formation end temperature (Td) being conditions therefor. Due to this configuration, the method for manufacturing a silicon single crystal can be provided with which, without requiring expensive additional equipment for the manufacturing of single crystals to be installed or the like, point defects can be diffused toward the side surface of the single crystal and the formation of grown-in defects and the mixture of Ni regions and Nv regions can be prevented at low cost.
(FR)Cette invention concerne un procédé de production d'un monocristal de silicium, le procédé étant destiné à faire croître un monocristal de silicium selon le procédé de Czochralski et étant caractérisé en ce qu'un monocristal de silicium est amené à croître de façon que la distance de diffusion des défauts ponctuels dans le monocristal de silicium soit égale ou supérieure au rayon du monocristal de silicium, l'historique thermique d'une partie centrale d'un monocristal de silicium depuis un point de fusion (Tm) jusqu'à une température finale de formation de défauts de croissance (Td) faisant partie des conditions requises. En raison de cette configuration, et sans avoir à installer d'équipement supplémentaire coûteux ou autre pour la fabrication de monocristaux, le procédé de production d'un monocristal de silicium selon l'invention permet la diffusion des défauts ponctuels vers la surface latérale du monocristal et empêche à faible coût, la formation de défauts de croissance intrinsèques et le mélange de régions Ni et de régions Nv.
(JA) 本発明は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する方法であって、シリコン単結晶の中心部分における融点TmからGrown-in欠陥形成終了温度Tdまでの熱履歴を、シリコン単結晶の点欠陥の拡散距離がシリコン単結晶の半径以上となる条件としてシリコン単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶製造方法である。これにより、単結晶の製造において高価な追加設備の設置等を必要とすることなく、点欠陥を単結晶側面に向かって拡散させ、低コストでGrown-in欠陥の形成及びNi領域とNv領域の混在を防止できるシリコン単結晶製造方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)