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1. (WO2015125382) SUBSTRATE EQUIPPED WITH ORGANIC FUNCTIONAL LAYER AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/125382    International Application No.:    PCT/JP2014/082602
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 10.12.2014
IPC:
B32B 9/00 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), G02B 1/11 (2015.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/0216 (2014.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/04 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01), H05B 33/12 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventors: IMAI Shinji; (JP)
Agent: WATANABE Mochitoshi; (JP)
Priority Data:
2014-032156 21.02.2014 JP
Title (EN) SUBSTRATE EQUIPPED WITH ORGANIC FUNCTIONAL LAYER AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT ÉQUIPÉ D'UNE COUCHE FONCTIONNELLE ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
(JA) 有機機能層付き基板およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)In the present invention, a substrate equipped with an organic functional layer has a base material, an organic functional layer disposed on the base material, and a protective film disposed on the organic functional layer. The protective film has a plurality of silicon oxynitride layers, and the absolute value of the difference in refractive index between the silicon oxynitride layers is 0.1 or less. In the protective film, the silicon oxynitride layer that is furthest from the organic functional layer has a film thickness of 50 nm or greater and has a density that is at least 0.05 (g/cm3) greater than the density of the silicon oxynitride layer formed closest to the organic functional layer.
(FR)La présente invention concerne un substrat équipé d'une couche fonctionnelle organique comprenant un matériau de base, une couche fonctionnelle organique disposée sur le matériau de base et un film de protection disposé sur la couche fonctionnelle organique. Le film de protection comprend une pluralité de couches d'oxynitrure de silicium, et la valeur absolue de la différence d'indice de réfraction entre les couches d'oxynitrure de silicium est inférieure ou égale à 0,1. Dans le film de protection, la couche d'oxynitrure de silicium qui est la plus éloignée de la couche fonctionnelle organique présente une épaisseur de film égale ou supérieure à 50 nm et présente une densité qui est supérieure d'au moins 0,05 (g/cm3) à la densité de la couche d'oxynitrure de silicium formée plus proche de la couche fonctionnelle organique.
(JA) 有機機能層付き基板は、基材と、基材上に配置された有機機能層と、有機機能層上に配置された保護膜とを有する。保護膜は酸窒化珪素層を複数有し、各酸窒化珪素層は屈折率差が絶対値で0.1以内である。保護膜では複数の酸窒化珪素層のうち、有機機能層から遠い側の酸窒化珪素層は膜厚が50nm以上であり、かつ密度が有機機能層に最も近い位置に形成された酸窒化珪素層の密度よりも0.05(g/cm)以上大きい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)