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1. (WO2015125281) POWER MODULE, POWER CONVERSION DEVICE, AND RAILROAD VEHICLE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2015/125281 International Application No.: PCT/JP2014/054207
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 21.02.2014
IPC:
H02M 7/48 (2007.01)
Applicants: HITACHI, LTD.[JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
Inventors: AKIYAMA, Satoru; JP
IKEDA, Osamu; JP
MIYAZAKI, Takaaki; JP
Agent: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Priority Data:
Title (EN) POWER MODULE, POWER CONVERSION DEVICE, AND RAILROAD VEHICLE
(FR) MODULE DE PUISSANCE, DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE, ET VÉHICULE DE CHEMIN DE FER
(JA) パワーモジュール、電力変換装置、および鉄道車両
Abstract: front page image
(EN) Sense electrodes (SEP) which are electrically insulated from source electrodes (MSP1-4) are formed on the top surfaces of a first group of semiconductor chips (M1, M4) which increase to a first temperature during operation, and on the top surface of a second group of semiconductor chips (M2, M3) which increase to a second temperature that is higher than the first temperature during operation. The semiconductor-switching-element source sense current flowing from the sense electrodes formed on the top surfaces of the first group of semiconductor chips and the semiconductor-switching-element source sense current flowing from the sense electrodes formed on the top surfaces of the second group of semiconductor chips are outputted to sense substrates (SEE1, SEE2) which differ from one another, the difference potential of the two is obtained, and the difference potential and a standard value are compared. As a result, it is possible to detect a crack in the solder material for joining the second group of semiconductor chips and a drain substrate (DR) formed on a base substrate (BS).
(FR) Selon l'invention, des électrodes de détection (SEP) qui sont isolées électriquement d'électrodes de source (MSP1-4) sont formées sur les surfaces supérieures d'un premier groupe de puces à semi-conducteur (M1, M4) qui atteignent une première température lors du fonctionnement, et sur la surface supérieure d'un second groupe de puces à semi-conducteur (M2, M3) qui atteignent une seconde température qui est supérieure à la première température lors du fonctionnement. Le courant de détection de source d'élément de commutation à semi-conducteur circulant à partir des électrodes de détection formées sur les surfaces supérieures du premier groupe de puces à semi-conducteur et le courant de détection de source d'élément de commutation à semi-conducteur circulant à partir des électrodes de détection formées sur les surfaces supérieures du second groupe de puces à semi-conducteur sont délivrés pour détecter des substrats (SEE1, SEE2) qui diffèrent l'un de l'autre, la différence de potentiel des deux est obtenue, et la différence de potentiel et une valeur de référence sont comparés. En conséquence, il est possible de détecter une fissure dans le matériau de brasure pour assembler le second groupe de puces à semi-conducteur et un substrat de drain (DR) formé sur un substrat de base (BS).
(JA) 動作時に第1温度まで上昇する第1群の半導体チップ(M1,M4)の上面、および動作時に第1温度よりも高い第2温度まで上昇する第2群の半導体チップ(M2,M3)の上面にソース電極(MSP1-4)とは電気的に絶縁されたセンス電極(SEP)を形成する。そして、第1群の半導体チップの上面に形成されたセンス電極から流れる半導体スイッチ素子のソースセンス電流と、第2群の半導体チップの上面に形成されたセンス電極から流れる半導体スイッチ素子のソースセンス電流とを、互いに異なるセンス基板(SEE1,SEE2)に出力して両者の差電位を求め、差電位と規格値とを比較する。これにより、ベース基板(BS)上に形成されたドレイン基板(DR)と第2群の半導体チップとを接合するはんだ材料のクラックを検知する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)