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1. (WO2015124549) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR APPLYING A COATING ONTO MULTIPLE SEMICONDUCTOR DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/124549    International Application No.:    PCT/EP2015/053275
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 17.02.2015
IPC:
H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/028 (2006.01), H01S 5/042 (2006.01), H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/46 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventors: STOCKMEIER, Michael; (DE).
SCHMAL, Michael; (DE).
VEIT, Thomas; (DE).
SWIETLIK, Tomasz; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Priority Data:
10 2014 102 037.5 18.02.2014 DE
Title (DE) HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN EINER BESCHICHTUNG AUF MEHRERE HALBLEITERVORRICHTUNGEN
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR APPLYING A COATING ONTO MULTIPLE SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ D'APPLICATION D'UN REVÊTEMENT SUR PLUSIEURS DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(DE)Es wird eine Halbleitervorrichtung (10) beschrieben, mit einem Halbleiterkörper (3), der eine erste Kontaktschicht (1) an einer ersten Hauptfläche (11) und eine zweite Kontaktschicht (2) an einer zweiten Hauptfläche (12) aufweist. Der Halbleiterkörper (3) weist an der ersten Hauptfläche (11) eine Vertiefung (4) auf, die von zwei einander gegenüberliegenden Seitenflächen (5, 6) des Halbleiterkörpers (3) jeweils einen Abstand aufweist, wobei die erste Kontaktschicht (1) vollständig in der Vertiefung (4) angeordnet ist. Die zweite Kontaktschicht (2) weist von den einander gegenüberliegenden Seitenflächen (5, 6) einen gleich großen oder größeren Abstand als die Vertiefung (4) auf. Weiterhin wird ein Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung (7, 8) auf mehrere Halbleitervorrichtungen (10a, 10b, 10c, 10d) beschrieben.
(EN)The invention relates to a semiconductor device (10) comprising a semiconductor body (3) which has a first contact layer (1) on a first main surface (11) and a second contact layer (2) on a second main surface (12). The semiconductor body (3) has a depression (4) on the first main surface (11), and the depression is spaced from each of two opposing lateral surfaces (5, 6) of the semiconductor body (3), said first contact layer (1) being completely arranged in the depression (4). The second contact layer (2) has an equal or greater distance to the opposing lateral surfaces (5, 6) than the depression (4). The invention further relates to a method for applying a coating (7, 8) onto multiple semiconductor devices (10a, 10b, 10c, 10d).
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (10), comprenant un corps semi-conducteur (3) qui présente une première couche de contact (1) sur une première surface principale (11) et une deuxième couche de contact (2) sur une deuxième surface principale (12). Le corps semi-conducteur (3) présente, sur la première surface principale (11), un creux (4) qui comporte à partir de deux surfaces latérales (5, 6) opposées l'une à l'autre du corps semi-conducteur (3) respectivement un écart, la première couche de contact (1) étant entièrement disposée dans le creux (4). La deuxième couche de contact (2) comprend à partir des surfaces latérales (5, 6) opposées les unes aux autres un écart aussi grand ou plus grand que le creux (4). L'invention concerne en outre un procédé d'application d'un revêtement (7, 8) sur plusieurs dispositifs à semi-conducteur (10a, 10b, 10c, 10d).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)