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1. (WO2015124495) METHOD FOR THE PRODUCTION OF A NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/124495    International Application No.:    PCT/EP2015/053004
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 12.02.2015
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventors: OFF, Jürgen; (DE).
PETER, Matthias; (DE).
LEHNHARDT, Thomas; (DE).
BERGBAUER, Werner; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Priority Data:
102014102039.1 18.02.2014 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER NITRID-VERBINDUNGSHALBLEITERSCHICHT
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF A NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE COMPOSÉ NITRURE
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Nitrid- Verbindungshalbleiterschicht beschrieben,umfassend die Schritte: - Abscheiden einer ersten Keimschicht (1), die ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial umfasst, auf ein Substrat (10), - zumindest teilweises Desorbieren des Nitrid- Verbindungshalbleitermaterials der ersten Keimschicht von dem Substrat (10), - Abscheiden einer zweiten Keimschicht (2), die ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial umfasst, und - Aufwachsen der Nitrid-Verbindungshalbleiterschicht (3), die ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial aufweist, auf die zweite Keimschicht (2).
(EN)Described is a method for producing a nitride compound semiconductor layer, involving the steps of: - depositing a first seed layer (1) comprising a nitride compound semiconductor material on a substrate (10); - desorbing at least some of the nitride compound semiconductor material in the first seed layer from the substrate (10); - depositing a second seed layer (2) comprising a nitride compound semiconductor material; and - growing the nitride compound semiconductor layer (3) containing a nitride compound semiconductor material onto the second seed layer (2).
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une couche de semi-conducteur à base de composé nitrure, comprenant les étapes consistant à : - déposer sur un substrat (10) une première couche de germe (1) comprenant un matériau semi-conducteur à base de composé nitrure, - désorber moins partiellement du substrat (10) le matériau semi-conducteur à base de composé nitrure de la première couche de germe, - déposer une seconde couche de germe (2) comprenant un matériau semi-conducteur à base du composé nitrure, et - permettre la croissance, sur la seconde couche de germe (2), de la couche de semi-conducteur à base de composé nitrure (3) comprenant un matériau semi-conducteur à base de composé nitrure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)