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1. (WO2015124014) REACTION CAVITY AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/124014    International Application No.:    PCT/CN2014/092878
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 03.12.2014
IPC:
C23C 16/452 (2006.01)
Applicants: BEIJING NMC CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area, Beijing 100176 (CN)
Inventors: LI, Xingcun; (CN).
WEI, Gang; (CN).
LI, Dongsan; (CN).
GUAN, Changle; (CN).
QIU, Mingda; (CN).
ZHAO, Longchao; (CN).
SONG, Mingming; (CN)
Agent: TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Tianshu ZHANG 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Priority Data:
201410063219.6 24.02.2014 CN
Title (EN) REACTION CAVITY AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) CAVITÉ RÉACTIONNELLE ET APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA
(ZH) 反应腔室及等离子体加工设备
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a reaction cavity and a plasma processing apparatus, comprising a cavity, a dielectric window and a power supply unit. The dielectric window is arranged above the cavity and hermetically connected to the cavity, and the outside of the dielectric window is surrounded by multiple sets of coils at intervals along the vertical direction. The multiple sets of coils are loaded by the power supply unit. The reaction cavity and plasma processing apparatus provided by the present invention can make the plasma uniformly distribute in the reaction cavity and increase the plasma density therein, thereby improving the uniformity of the process and ionization efficiency. Meanwhile, The reaction cavity and plasma processing apparatus provided by the present invention can also increase the effective power for exciting plasma, and lower the temperature rising extent and temperature gradient of the dielectric window during the process, thereby, preventing the dielectric window from fracturing and extending the service life thereof.
(FR)La présente invention concerne une cavité réactionnelle et un appareil de traitement au plasma, comprenant une cavité, une fenêtre diélectrique et une unité d'alimentation électrique. La fenêtre diélectrique est disposée au-dessus de la cavité et hermétiquement connectée à la cavité, et l'extérieur de la fenêtre diélectrique est entouré de multiples ensembles de bobines à des intervalles pratiqués le long de la direction verticale. Les multiples ensembles de bobines sont chargés par l'unité d'alimentation électrique. La cavité réactionnelle et l'appareil de traitement au plasma selon la présente invention peuvent répartir uniformément le plasma dans la cavité réactionnelle et augmenter la densité du plasma à l'intérieur de celle-ci, ce qui permet d'améliorer l’homogénéité du processus et l'efficacité d'ionisation. Par ailleurs, la cavité réactionnelle et l’appareil de traitement au plasma selon la présente invention peuvent également augmenter la puissance effective d’excitation du plasma, et abaisser l'étendue d'augmentation de température et le gradient de température de la fenêtre diélectrique au cours du processus, et ainsi, empêcher la fenêtre diélectrique de se fracturer et de prolonger leur durée de vie.
(ZH)本发明涉及一种反应腔室及等离子体加工设备,其包括腔体、介质窗和功率供给单元,所述介质窗设置在所述腔体的上方并与之密封连接,并且所述介质窗的外侧沿竖直方向间隔环绕有多组线圈,所述功率供给单元向所述多组线圈加载功率。本发明提供的反应腔室及等离子体加工设备,可以使等离子体在反应腔室内均匀分布,并使反应腔室内等离子体的密度提高,从而提高工艺的均匀性和离化效率;同时,还可以提高用于激发等离子体的有效功率,以及降低介质窗在工艺过程中的升温幅度和温度梯度,防止其破裂,延长介质窗的使用寿命。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)