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1. (WO2015123915) ACTIVE MATRIX ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/123915    International Application No.:    PCT/CN2014/074423
Publication Date: 27.08.2015 International Filing Date: 31.03.2014
IPC:
H01L 27/32 (2006.01), G09G 3/3225 (2016.01), H01L 51/50 (2006.01)
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventors: GAI, Cuili; (CN).
SONG, Danna; (CN).
ZHANG, Baoxia; (CN)
Agent: CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; Suite 4-1105, No. 87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089 (CN)
Priority Data:
201410062448.6 24.02.2014 CN
Title (EN) ACTIVE MATRIX ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ORGANIQUE À MATRICE ACTIVE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 有源矩阵有机发光二极管阵列基板及制作方法和显示装置
Abstract: front page image
(EN)An active matrix organic light-emitting diode (AMOLED) array substrate, manufacturing method thereof and display device for increasing the pixel aperture ratio of the array substrate and improving the display quality of the display device; the array substrate comprises a substrate (1) and a plurality of pixel units arranged in an array on the substrate (1); each pixel unit comprises a thin film transistor (TFT), a first transparent electrode (3), a second transparent electrode (10) and a gate electrode insulating layer (4) disposed between the first transparent electrode (3) and the second transparent electrode (10); the first transparent electrode (3) is disposed on the substrate (1) electrically connected to the gate electrode (2) of the TFT; the second transparent electrode (10) is electrically connected to the drain electrode (7) of the TFT; and the first transparent electrode (3) is opposite the second transparent electrode (10) to form a storage capacitor (100) of the pixel unit.
(FR)L'invention porte sur un substrat de réseau de diode électroluminescente organique à matrice active (AMOLED), son procédé de fabrication et un dispositif d'affichage pour augmenter le rapport d'ouverture de pixel du substrat de réseau et améliorer la qualité d'affichage du dispositif d'affichage ; le substrat de réseau comprenant un substrat (1) et une pluralité d'unités de pixel agencées dans un réseau sur le substrat (1) ; chaque unité de pixel comprenant un transistor à couches minces (TFT), une première électrode transparente (3), une seconde électrode transparente (10) et une couche isolante d'électrode de grille (4) disposée entre la première électrode transparente (3) et la seconde électrode transparente (10) ; la première électrode transparente (3) étant disposée sur le substrat (1) connecté électriquement à l'électrode de grille (2) du TFT ; la seconde électrode transparente (10) étant connectée électriquement à l'électrode de drain (7) du TFT ; et la première électrode transparente (3) étant opposée à la seconde électrode transparente (10) pour former un condensateur de stockage (100) de l'unité de pixel.
(ZH)一种有源矩阵有机发光二极管阵列基板及其制作方法和一种显示装置,以提高阵列基板的像素开口率,提升显示装置的显示品质。阵列基板包括基板(1)和位于基板(1)上且呈阵列排布的多个像素单元,每个所述像素单元包括薄膜晶体管、第一透明电极(3)、第二透明电极(10)以及设置在所述第一透明电极(3)和第二透明电极(10)之间的栅极绝缘层(4)。所述第一透明电极(3)设置在基板(1)上且与所述薄膜晶体管的栅极(2)电连接;所述第二透明电极(10)与薄膜晶体管的漏极(7)电连接,所述第一透明电极(3)与第二透明电极(10)的位置相对,以形成所述像素单元的存储电容(100)。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)