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1. (WO2015123321) INDUCTOR DESIGN ON FLOATING UBM BALLS FOR WAFER LEVEL PACKAGE (WLP)
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/123321    International Application No.:    PCT/US2015/015450
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 11.02.2015
Chapter 2 Demand Filed:    09.12.2015    
IPC:
H01L 23/52 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121-1714 (US)
Inventors: SONG, Young, Kyu; (US).
PARK, Yunseo; (US).
ZHANG, Xiaonan; (US).
LANE, Ryan, David; (US).
HADJICHRISTOS, Aristotele; (US)
Agent: OLDS, Mark, E.; (US)
Priority Data:
14/179,202 12.02.2014 US
Title (EN) INDUCTOR DESIGN ON FLOATING UBM BALLS FOR WAFER LEVEL PACKAGE (WLP)
(FR) CONCEPTION DE BOBINE D'INDUCTION SUR DES BILLES FLOTTANTES DE MÉTALLISATION SOUS BOSSE POUR UNE ENCAPSULATION SUR TRANCHE
Abstract: front page image
(EN)An inductor design on a wafer level package (WLP) does not need to depopulate the solder balls on the die because the solder balls form part of the inductor. One terminal on the inductor couples to the die, the other terminal couples to a single solder ball on the die, and the remaining solder balls that mechanically contact the inductor remain electrically floating. The resulting device has better inductance, direct current (DC) resistance, board-level reliability (BLR), and quality factor (Q).
(FR)L'invention concerne une conception de bobine d'induction sur une encapsulation sur tranche (WLP), ladite conception n'ayant pas besoin de dépeupler les billes de soudure sur la puce en raison du fait que les billes de soudure forment une partie de la bobine d'induction. Une borne sur la bobine d'induction est couplée à la puce, l'autre borne est couplée à une seule bille de soudure sur la puce, et les billes de soudure restantes qui entrent en contact mécanique avec la bobine d'induction restent électriquement flottantes. Le dispositif résultant présente une meilleure inductance, une meilleure résistance en courant continu (CC), une meilleure fiabilité au niveau de la carte (BLR), et un meilleur facteur de qualité (Q).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)