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1. (WO2015123146) THERMAL METAL GROUND FOR INTEGRATED CIRCUIT RESISTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/123146    International Application No.:    PCT/US2015/015041
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 09.02.2015
Chapter 2 Demand Filed:    09.12.2015    
IPC:
H01L 23/367 (2006.01), H01L 49/02 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventors: MITTAL, Arpit; (US).
LOKE, Alvin Leng Sun; (US).
SAEIDI, Mehdi; (US).
DRENNAN, Patrick; (US)
Agent: FOUNTAIN, George L.; (US)
Priority Data:
14/181,187 14.02.2014 US
Title (EN) THERMAL METAL GROUND FOR INTEGRATED CIRCUIT RESISTORS
(FR) MASSE MÉTALLIQUE THERMIQUE POUR DES RÉSISTANCES DE CIRCUIT INTÉGRÉ
Abstract: front page image
(EN)Metal thermal grounds are used for dissipating heat from integrated-circuit resistors. The resistors may be formed using a front end of line layer, for example, a titanium-nitride layer. A metal region (e.g., in a first metal layer) is located over the resistors to form a heat sink. An area of thermal posts connected to the metal region is also located over the resistor. The metal region can be connected to the substrate of the integrated circuit to provide a low impedance thermal path out of the integrated circuit.
(FR)Selon l'invention, des masses thermiques métalliques sont utilisées pour dissiper une chaleur en provenance de résistances de circuit intégré. Les résistances peuvent être formées en utilisant une extrémité avant de couche de ligne, par exemple, une couche de nitrure-titane. Une région métallique (par exemple, dans une première couche métallique) est située au-dessus des résistances de manière à former un dissipateur de chaleur. Une zone de montants thermiques reliés à la région métallique est également située sur la résistance. La région métallique peut être connectée au substrat du circuit intégré pour fournir un chemin thermique de faible impédance en dehors du circuit intégré.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)