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1. (WO2015123078) SEMICONDUCTOR DEVICE BURN-IN TEMPERATURE SENSING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/123078    International Application No.:    PCT/US2015/014562
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 05.02.2015
IPC:
G01K 7/01 (2006.01), G01R 31/28 (2006.01)
Applicants: MICRO CONTROL COMPANY [US/US]; 7956 Main Street NE Fridley, MN 55432 (US)
Inventors: OLSON, Donald, Robert; (US).
HAAPALA, Daniel, Aaron; (US)
Agent: KAUL, Brian, D.; (US)
Priority Data:
61/939,846 14.02.2014 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE BURN-IN TEMPERATURE SENSING
(FR) DÉTECTION DE TEMPÉRATURE DE FIABILISATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A remote diode temperature sensing circuit (112) for use in a burn-in system (100) to sense a temperature of a semiconductor device (102) under test includes a temperature sense circuit (130) and an adapter circuit (142). The temperature sense circuit is configured to output temperature sense currents (Is) during a temperature sense routine. The adapter circuit is configured to drive mirrored sense currents (Ims), which mirror the temperature sense currents, through a diode (140) of the semiconductor device that is connected to an input/output package pin, and present voltage differences across the diode responsive to the mirrored sense currents to the temperature sense circuit. The temperature sense circuit is configured to discharge a temperature output signal (111) that is indicative of the temperature of the diode based on the voltage differences.
(FR)L'invention porte sur un circuit de détection de température à diode à distance (112), lequel système est destiné à être utilisé dans un système de fiabilisation (100) pour détecter une température d'un dispositif à semi-conducteurs (102) qui est testé, et lequel comprend un circuit de détection de température (130) et un circuit d'adaptateur (142). Le circuit de détection de température est configuré de façon à délivrer en sortie des courants de détection de température (Is) pendant une procédure de détection de température. Le circuit d'adaptateur est configuré de façon à délivrer des miroirs de courants de détection (Ims), qui sont symétriques des courants de détection de température, à travers une diode (140) du dispositif à semi-conducteurs, qui est connectée à une broche de boîtier d'entrée/sortie, et à présenter des différences de tension aux bornes de la diode, en réponse aux miroirs de courants de détection, au circuit de détection de température. Le circuit de détection de température est configuré de façon à décharger un signal de sortie de température (111) qui est indicatif de la température de la diode sur la base des différences de tension.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)