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1. (WO2015123022) UPPER DOME WITH INJECTION ASSEMBLY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/123022    International Application No.:    PCT/US2015/013347
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 28.01.2015
IPC:
H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: BRILLHART, Paul; (US).
CHANG, Anzhong; (US).
TONG, Edric; (US).
LO, Kin, Pong; (US).
MACK, James, Francis; (US).
YE, Zhiyuan; (US).
SHAH, Kartik; (US).
SANCHEZ, Errol, Antonio, C.; (US).
CARLSON, David, K.; (US).
KUPPURAO, Satheesh; (US).
RANISH, Joseph, M.; (US)
Agent: PATTERSON, B., Todd; (US)
Priority Data:
61/940,178 14.02.2014 US
61/943,625 24.02.2014 US
61/992,053 12.05.2014 US
Title (EN) UPPER DOME WITH INJECTION ASSEMBLY
(FR) DÔME SUPÉRIEUR À ENSEMBLE D'INJECTION
Abstract: front page image
(EN)Embodiments provided herein generally relate to an apparatus for delivering gas to a semiconductor processing chamber. An upper quartz dome of an epitaxial semiconductor processing chamber has a plurality of holes formed therein and precursor gases are provided into a processing volume of the chamber through the holes of the upper dome. Gas delivery tubes extend from the holes in the dome to a flange plate where the tubes are coupled to gas delivery lines. The gas delivery apparatus enables gases to be delivered to the processing volume above a substrate through the quartz upper dome.
(FR)Selon divers modes de réalisation, l'invention concerne de façon générale un appareil destiné à fournir un gaz à une chambre de traitement de semi-conducteurs. Un dôme supérieur en quartz d'une chambre de traitement de semi-conducteurs épitaxiés présente une pluralité de trous formés dans celui-ci, et des gaz précurseurs sont fournis à un volume de traitement de la chambre par les trous du dôme supérieur. Des tubes de distribution de gaz s'étendent des trous dans le dôme à une plaque à rebord où les tubes sont couplés à des lignes de distribution de gaz. L'appareil de distribution de gaz permet de distribuer des gaz au volume de traitement au-dessus d'un substrat à travers le dôme supérieur en quartz.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)