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1. (WO2015122981) CLEANING PROCESS FOR CLEANING AMORPHOUS CARBON DEPOSITION RESIDUALS USING LOW RF BIAS FREQUENCY APPLICATIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/122981    International Application No.:    PCT/US2015/011251
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 13.01.2015
IPC:
H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: MANNA, Pramit; (US).
KULSHRESHTHA, Prashant Kumar; (US).
LEE, Kwangduk Douglas; (US).
SEAMONS, Martin Jay; (US).
MALLICK, Abhijit Basu; (US).
KIM, Bok Hoen; (US).
SRINIVASAN, Mukund; (US)
Agent: PATTERSON, B., Todd; (US)
Priority Data:
61/938,491 11.02.2014 US
Title (EN) CLEANING PROCESS FOR CLEANING AMORPHOUS CARBON DEPOSITION RESIDUALS USING LOW RF BIAS FREQUENCY APPLICATIONS
(FR) PROCESSUS DE NETTOYAGE POUR NETTOYER DES RÉSIDUS DE DÉPÔT DE CARBONE AMORPHE AU MOYEN D'APPLICATIONS À FAIBLE FRÉQUENCE DE POLARISATION RF
Abstract: front page image
(EN)Methods for cleaning a processing chamber to remove amorphous carbon containing residuals from the processing chamber are provided. The cleaning process utilizes a low frequency RF bias power during the cleaning process. In one embodiment, a method of cleaning a processing chamber includes supplying a cleaning gas mixture into a processing chamber, applying a RF bias power of about 2 MHz or lower to a substrate support assembly disposed in the processing chamber to form a plasma in the cleaning gas mixture in the processing chamber, and removing deposition residuals from the processing chamber.
(FR)L'invention porte sur des procédés pour nettoyer une chambre de traitement afin d'éliminer du carbone amorphe contenant des résidus de la chambre de traitement. Le processus de nettoyage utilise une faible puissance de polarisation RF de fréquence pendant le processus de nettoyage. Dans un mode de réalisation, un procédé de nettoyage d'une chambre de traitement consiste à alimenter en mélange de gaz de nettoyage une chambre de traitement, à appliquer une puissance de polarisation RF d'environ 2 MHz ou moins à un ensemble support de substrat disposé dans la chambre de traitement afin de former un plasma dans le mélange de gaz de nettoyage dans la chambre de traitement, et à éliminer des résidus de dépôt de la chambre de traitement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)