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1. (WO2015122870) ANTIFUSE WITH BACKFILLED TERMINALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/122870    International Application No.:    PCT/US2014/015673
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 11.02.2014
IPC:
H01L 21/82 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US) (For All Designated States Except US).
LEE, Chen Guan [--/US]; (US) (US only).
HAFEZ, Walid M [US/US]; (US) (US only).
JAN, Chia Hong [US/US]; (US) (US only)
Inventors: LEE, Chen Guan; (US).
HAFEZ, Walid M; (US).
JAN, Chia Hong; (US)
Agent: HOWARD, James M; Law Offices Of James M. Howard C/O CPA GLOBAL P.O. Box 52050 Minneapolis, MN 55402 (US)
Priority Data:
Title (EN) ANTIFUSE WITH BACKFILLED TERMINALS
(FR) ANTIFUSIBLE À BORNES REMPLIES
Abstract: front page image
(EN)An antifuse may include a non-planar conductive terminal having a high-z portion extending to a greater z-height than a low-z portion. A second conductive terminal is disposed over the low-z portion and separated from the first terminal by at least one intervening dielectric material. Fabrication of an antifuse may include forming a first opening in a first dielectric material disposed over a substrate, and undercutting a region of the first dielectric material. The undercut region of the first dielectric material is lined with a second dielectric material, such as gate dielectric material, through the first opening. A conductive first terminal material backfills the lined undercut region through the first opening. A second opening through the first dielectric material exposes the second dielectric material lining the undercut region. A conductive second terminal material is backfilled in the second opening.
(FR)L'invention concerne un antifusible qui peut comprendre une borne conductrice non-plane possédant une portion à Z élevé s'étendant sur une hauteur Z plus grande qu'une portion à Z faible. Une deuxième borne conductrice est disposée sur la portion à Z faible et séparée de la première borne par au moins un matériau diélectrique intermédiaire. La fabrication d'un antifusible peut comprendre la formation d'une première ouverture dans un premier matériau diélectrique disposé sur un substrat, et la contre-dépouille d'une région du premier matériau diélectrique. La région de contre-dépouille du premier matériau diélectrique est revêtue d'un deuxième matériau diélectrique, tel qu'un matériau diélectrique de gâchette, à travers la première ouverture. Un premier matériau de borne conducteur remplit la région de contre-dépouille revêtue à travers la première ouverture. Une deuxième ouverture à travers le premier matériau diélectrique expose le deuxième matériau diélectrique recouvrant la région de contre-dépouille. Un deuxième matériau de borne conducteur remplit la deuxième ouverture.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)