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1. (WO2015122652) LIGHT-EMITTING DIODE PRODUCTION METHOD USING NANOSTRUCTURE TRANSFER, AND LIGHT-EMITTING DIODE OBTAINED THEREBY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/122652    International Application No.:    PCT/KR2015/001222
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 06.02.2015
IPC:
H01L 33/20 (2010.01)
Applicants: POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION [KR/KR]; 77, Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang-si, Gyeongsangbuk-do 790-784 (KR)
Inventors: YOO, Chul-Jong; (KR).
LEE, Jong-lam; (KR)
Agent: IAM PATENT FIRM; 403, 224, Bongeunsa-ro, Gangnam-gu, Seoul 135-913 (KR)
Priority Data:
10-2014-0015396 11.02.2014 KR
Title (EN) LIGHT-EMITTING DIODE PRODUCTION METHOD USING NANOSTRUCTURE TRANSFER, AND LIGHT-EMITTING DIODE OBTAINED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE UTILISANT UN TRANSFERT DE NANOSTRUCTURE ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE AINSI OBTENUE
(KO) 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법과 그 발광다이오드
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a light-emitting diode production method and to a light-emitting diode obtained thereby, and more specifically relates to a method wherein a nanostructure is coated uniformly over a wide surface area by means of spherical nanostructure transfer and wherein a light-emitting diode is produced in which the light-extraction efficiency is maximised by means of the coating, and relates to a light-emitting diode having outstanding light-extraction efficiency produced by the method. The present invention concerns a production method for a light-emitting diode in which a first semiconductor layer, an active layer and a second semiconductor layer are formed, wherein the method comprises: a step of coating a spherical nanostructure onto a first substrate; a step of transferring the nanostructure from the first substrate, which has been coated with the nanostructure, onto a second substrate; a step of transferring the nanostructure, which has been transferred onto the second substrate, onto the second semiconductor layer; and a step of forming an uneven portion by dry etching the second semiconductor layer by using a mask constituted by the nanostructure which has been transferred onto the second semiconductor layer.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de production de diode électroluminescente et à une diode électroluminescente ainsi obtenue et, de façon plus précise, se rapporte à un procédé selon lequel une nanostructure est recouverte de façon uniforme sur une large surface au moyen d'un transfert de nanostructure sphérique et selon lequel une diode électroluminescente est produite, l'efficacité d'extraction de la lumière étant maximisée au moyen du revêtement, et se rapporte à une diode électroluminescente présentant une remarquable efficacité d'extraction de la lumière produite par le procédé. La présente invention concerne un procédé de production de diode électroluminescente selon lequel une première couche de semi-conducteur, une couche active et une seconde couche de semi-conducteur sont formées, le procédé comprenant : une étape consistant à recouvrir une nanostructure sphérique sur un premier substrat; une étape consistant à transférer la nanostructure depuis le premier substrat, qui a été recouvert avec la nanostructure, sur un second substrat; une étape consistant à transférer la nanostructure, qui a été transférée sur le second substrat, sur la seconde couche de semi-conducteur; et une étape consistant à former une partie irrégulière par gravure sèche de la seconde couche de semi-conducteur tout en utilisant un masque constitué par la nanostructure qui a été transférée sur la seconde couche de semi-conducteur.
(KO)본 발명은 발광다이오드 제조방법과 그 발광다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 구 모양의 나노구조체 전사를 통해 넓은 면적에 균일하게 나노구조체를 코팅하고 이를 통해 광추출 효율이 극대화된 발광다이오드를 제조하는 방법과 이 방법에 의해 제조된 광추출 효율이 우수한 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 제1반도체층, 활성층 및 제2반도체층이 형성된 발광다이오드 제조방법에 있어서, 제1기판 상에 구 모양의 나노구조체를 코팅하는 단계와, 상기 나노구조체가 코팅된 제1기판에서 제2기판으로 나노구조체를 전사하는 단계와, 상기 제2기판에 전사된 나노구조체를 제2반도체층에 전사하는 단계, 및 상기 제2반도체층에 전사된 나노구조체를 마스크로 이용하여 제2반도체층을 건식 에칭하여 요철부를 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)