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1. (WO2015122326) PATTERN FORMING METHOD, ETCHING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2015/122326 International Application No.: PCT/JP2015/053058
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 04.02.2015
IPC:
G03F 7/40 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION[JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventors: UEBA Ryosuke; JP
IGUCHI Naoya; JP
YAMANAKA Tsukasa; JP
TANGO Naohiro; JP
SHIRAKAWA Michihiro; JP
KATO Keita; JP
Agent: ODAHARA Shuichi; JP
Priority Data:
2014-02779317.02.2014JP
2014-25748919.12.2014JP
Title (EN) PATTERN FORMING METHOD, ETCHING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MOTIF, PROCÉDÉ D'ATTAQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法、エッチング方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
Abstract: front page image
(EN) This pattern forming method comprises: (i) a step for forming a first negative pattern on a substrate by carrying out the step (i-1), step (i-2) and step (i-3) described below in this order; (iii) a step for forming a second film on at least the first negative pattern using an active light sensitive or radiation sensitive resin composition (2) that contains a resin, the solubility of which in a developer liquid containing an organic solvent is decreased as the polarity thereof is increased by the action of an acid; (v) a step for exposing the second film to light; and (vi) a step for forming a second negative pattern on at least the first negative pattern by developing the light-exposed second film using a developer liquid containing an organic solvent. (i-1) a step for forming a first film on the substrate using an active light sensitive or radiation sensitive resin composition (1) that contains a resin, the solubility of which in a developer liquid containing an organic solvent is decreased as the polarity thereof is increased by the action of an acid (i-2) a step for exposing the first film to light (i-3) a step for forming the first negative pattern by developing the light-exposed first film using a developer liquid containing an organic solvent
(FR) Ce procédé de formation de motif comprend : (i) une étape consistant à former un premier motif négatif sur un substrat en effectuant l'étape (i-1) à l'étape (i-2) et l'étape (i-3) décrites ci-dessous dans cet ordre; (iii) une étape de formation d'un second film sur au moins le premier motif négatif à l'aide d'une composition de résine active sensible à la lumière ou sensible au rayonnement (2), et qui contient une résine dont la solubilité dans un liquide révélateur contenant un solvant organique est diminuée à mesure que la polarité de celui-ci est augmentée par l'action d'un acide; (v) une étape pour exposer le deuxième film à la lumière; et (vi) une étape consistant à former un second motif négatif sur au moins le premier motif négatif en développant le deuxième film exposé à la lumière en utilisant un liquide révélateur contenant un solvant organique. (i-1) Étape de formation d'un premier film sur le substrat à l'aide d'une composition de résine active sensible à la lumière ou sensible au rayonnement (1) qui contient une résine dont la solubilité dans un liquide révélateur contenant un solvant organique est diminuée à mesure que la polarité de celui-ci est augmentée par l'action d'un acide; (i-2) Étape consistant à exposer le premier film à la lumière; (i-3) Étape pour former le premier motif négatif en développant le premier film exposé à la lumière à l'aide d'un liquide révélateur contenant un solvant organique
(JA)  パターン形成方法は、(i)基板上に、下記工程(i-1)、下記工程(i-2)及び下記工程(i-3)をこの順で行い、第1のネガ型パターンを形成する工程、 (i-1)基板上に、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(1)を用いて第1の膜を形成する工程 (i-2)第1の膜を露光する工程 (i-3)露光した第1の膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、第1のネガ型パターンを形成する工程 (iii)少なくとも第1のネガ型パターン上に、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(2)を用いて第2の膜を形成する工程、 (v)第2の膜を露光する工程、および、 (vi)露光した第2の膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、少なくとも第1のネガ型パターン上に第2のネガ型パターンを形成する工程、 を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)