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1. (WO2015122257) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/122257    International Application No.:    PCT/JP2015/051790
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 23.01.2015
IPC:
H01L 31/0248 (2006.01), H01L 31/0747 (2012.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventors: KAMIKAWA Takeshi; .
HARADA Masatomi; .
TSUJINO Kazuya; .
KOIDE Naoki; .
ASANO Naoki; .
MATSUMOTO Yuta;
Agent: KAWAKAMI Keiko; (JP)
Priority Data:
2014-025843 13.02.2014 JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子
Abstract: front page image
(EN)A photoelectric conversion element (100) is provided with an n-type single-crystal silicon substrate (1). The n-type single-crystal silicon substrate (1) has a light-receiving surface on which a textured structure is formed, and a surface (back surface) opposed to the light-receiving surface and including macro-asperities having a difference in height of 0.6 μm or less and nano-asperities having an average surface roughness of 0.75 nm or less. The photoelectric conversion element (100) is provided with i-type amorphous semiconductor layers (3, 4), a p-type amorphous semiconductor layer (5), and an n-type amorphous semiconductor layer (6) on the side opposite to the light-receiving surface. The p-type amorphous semiconductor layer (5) is disposed on the i-type amorphous semiconductor layer (3), and the n-type amorphous semiconductor layer (6) is disposed on the i-type amorphous semiconductor layer (4). Consequently, a pn junction by hetero junction is formed on the back surface side of the n-type single-crystal silicon substrate (1).
(FR)L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique (100) qui est pourvu d'un substrat en silicium monocristallin du type n (1). Le substrat en silicium monocristallin du type n (1) présente une surface de réception de lumière sur laquelle une structure texturée est formée, et une surface (surface arrière) opposée à la surface de réception de lumière et comprenant des macro-aspérités ayant une différence de hauteur de 0,6 µm ou moins et des nano-aspérités ayant une rugosité de surface moyenne de 0,75 nm ou moins. L'élément de conversion photoélectrique (100) est pourvu de couches de semi-conducteur amorphe du type i (3, 4), d'une couche de semi-conducteur amorphe du type p (5), et d'une couche de semi-conducteur amorphe du type n (6) sur le côté opposé à la surface de réception de lumière. La couche de semi-conducteur amorphe du type p (5) est disposée sur la couche de semi-conducteur amorphe du type i (3), et la couche de semi-conducteur amorphe du type n (6) est disposée sur la couche de semi-conducteur amorphe du type i (4). Par conséquent, une jonction pn par hétérojonction est formée côté surface arrière du substrat en silicium monocristallin du type n (1).
(JA) 光電変換素子(100)は、n型単結晶シリコン基板(1)を備える。n型単結晶シリコン基板(1)は、テクスチャ構造が形成された受光面と、受光面に対して、高低差が0.6μm以下であるマクロ凹凸と平均面粗さが0.75nm以下であるナノ凹凸とを含む表面(裏面)を有する。そして、光電変換素子(100)は、i型非晶質半導体層(3,4)と、p型非晶質半導体層(5)と、n型非晶質半導体層(6)とを受光面と反対側に備える。p型非晶質半導体層(5)は、i型非晶質半導体層(3)上に配置され、n型非晶質半導体層(6)は、i型非晶質半導体層(4)上に配置される。これにより、ヘテロ接合によるpn接合がn型単結晶シリコン基板(1)の裏面側に形成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)