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1. (WO2015122096) PHOTOELECTRIC CONVERSION APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2015/122096 International Application No.: PCT/JP2014/083337
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 17.12.2014
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
Details
0224
Electrodes
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventors: NASUNO, Yoshiyuki; null
NISHIMURA, Kazuhito; null
ISAKA, Takayuki; null
Agent: YONETSU, Kiyoshi; JP
Priority Data:
2014-02738517.02.2014JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION APPARATUS
(FR) APPAREIL DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
Abstract:
(EN) Provided is a photoelectric conversion apparatus having improved productivity. This photoelectric conversion apparatus is provided with: an i-type semiconductor layer (3) and a first conductivity-type semiconductor layer (4), which are above a first surface (1a) of a semiconductor substrate (1); and a first electrode (6) and a second electrode (5), which are on the first conductivity-type semiconductor layer (4). The first surface (1a) has a first region (12), and a second region (11) that is the first surface region other than the first region (12). A semiconductor substrate (1) portion below the second region (11) is provided with a second conductivity-type region (2) having a higher second conductivity-type impurity concentration than the semiconductor substrate (1). The second electrode (5) is provided above the second region (11), and the first electrode (6) is provided above the first region (12). The photoelectric conversion apparatus has a portion having the i-type semiconductor layer (3) and the first conductivity-type semiconductor layer (4) between the second region (11) and the second electrode (5), and the second electrode (5) and the second region (11) are electrically connected to each other.
(FR) L'invention concerne un appareil de conversion photoélectrique présentant une meilleure productivité. Cet appareil de conversion photoélectrique comprend : une couche de semi-conducteur de type i (3) et une couche de semi-conducteur d'un premier type de conductivité (4) qui se trouvent au-dessus d'une première surface (1a) d'un substrat semi-conducteur (1); ainsi qu'une première électrode (6) et une seconde électrode (5) qui se trouvent sur la couche de semi-conducteur d'un premier type de conductivité (4). La première surface (1a) comporte une première région (12) et une seconde région (11) qui est la première région de surface autre que la première région (12). Une partie du substrat semi-conducteur (1) au-dessous de la seconde région (11) comporte une région d'un second type de conductivité (2) ayant une plus grande concentration d'impureté du second type de conductivité que le substrat semi-conducteur (1). La seconde électrode (5) est agencée au-dessus de la seconde région (11) et la première électrode (6) est agencée au-dessus de la première région (12). L'appareil de conversion photoélectrique comporte une partie ayant la couche de semi-conducteur de type i (3) et la couche de semi-conducteur d'un premier type de conductivité (4) entre la seconde région (11) et la seconde électrode (5) et la seconde électrode (5) et la seconde région (11) sont raccordées électriquement l'une à l'autre.
(JA) 生産性を向上することができる光電変換装置を提供する。光電変換装置は、半導体基板1の第1の面1aの上方のi型半導体層3および第1導電型半導体層4と、第1導電型半導体層4上の第1電極5および第2電極6を備えている。第1の面1aは、第1領域12と、第1領域12以外の領域である第2領域11とを有している。第2領域11の下方の半導体基板1に半導体基板1よりも第2導電型不純物濃度の高い第2導電型領域2が設けられている。第2領域11の上方に第2電極5が設けられており、第1領域12の上方に第1電極6が設けられている。第2領域11と第2電極5との間にi型半導体層3と第1導電型半導体層4とが介在している部分を有し、第2電極5と第2領域11とが導通している。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)