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1. (WO2015121947) METHOD FOR DISSOLVING AND REMOVING RESIST OR THE LIKE FROM PERIPHERAL EDGE OF WAFER
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Pub. No.: WO/2015/121947 International Application No.: PCT/JP2014/053334
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 13.02.2014
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027
Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34165
Applicants:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventors:
久我 正一 KUGA, Shoichi; JP
Agent:
高田 守 TAKADA, Mamoru; 東京都中央区築地1丁目12番22号 コンワビル7階 特許業務法人 高田・高橋国際特許事務所 TAKADA, TAKAHASHI & PARTNERS, Konwa Bldg. 7F, 12-22, Tsukiji 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040045, JP
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR DISSOLVING AND REMOVING RESIST OR THE LIKE FROM PERIPHERAL EDGE OF WAFER
(FR) PROCÉDÉ POUR DISSOUDRE ET ÉLIMINER LE VERNIS ÉPARGNE OU SIMILAIRE DU BORD PÉRIPHÉRIQUE D'UNE GALETTE
(JA) レジスト等のウエハ周縁部からの溶解除去方法
Abstract:
(EN) The present invention is provided with: a coating step for coating a front surface of a wafer (12) with a material (14A) containing a solvent; a volatilization step for volatilizing the solvent by heating the material; and a rinse step for jetting an edge rinse solution for removing the material from a first nozzle (20) to an outer peripheral portion of the front surface of the wafer while rotating the wafer. In the rinse step, a back rinse solution for cleaning a back surface of the wafer is jetted from a second nozzle (24) to the back surface of the wafer, and a portion that is in contact with an orientation flat or a notch in plan view of the material is removed by causing the back rinse solution jetted from the second nozzle to go around to the front surface of the wafer.
(FR) La présente invention concerne un procédé comprenant les étapes suivantes : revêtement d'une surface avant d'une galette (12) avec un matériau (14A) contenant un solvant; volatilisation du solvant par chauffage du matériau; et rinçage par pulvérisation d'une solution de rinçage de bord en vue d'éliminer le matériau depuis une première buse (20) vers une portion périphérique extérieure de la surface avant de la galette tout en faisant tourner la galette. Dans l'étape de rinçage, une solution de rinçage de l'arrière destinée à nettoyer une surface arrière de la galette est pulvérisée depuis une deuxième buse (24) vers la surface arrière de la galette, et une partie qui est en contact avec un méplat ou une encoche d'orientation dans une vue en plan du matériau est enlevée en amenant la solution de rinçage de l'arrière pulvérisée depuis la deuxième buse à passer autour de la surface avant de la galette.
(JA) ウエハ(12)の表面に溶媒を含む材料(14A)を塗布する塗布工程と、材料を加熱して溶媒を揮発させる揮発工程と、ウエハを回転させつつ、材料を除去するエッジリンス液を第1ノズル(20)からウエハの表面の外周部へ噴射するリンス工程と、を備え、リンス工程では、ウエハの裏面を洗浄するバックリンス液を第2ノズル(24)からウエハの裏面へ噴射し、材料のうち平面視でオリフラ又はノッチに接する部分を、第2ノズルから噴射したバックリンス液をウエハの表面に回りこませて除去する。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)