WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Options
Query Language
Stem
Sort by:
List Length
Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2015121900) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2015/121900 International Application No.: PCT/JP2014/003465
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 30.06.2014
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25
Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices
03
all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/-H01L51/128
04
the devices not having separate containers
07
the devices being of a type provided for in group H01L29/78
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
48
Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads or terminal arrangements
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25
Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices
18
the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/-H01L51/160
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventors: NAKASHIMA, Junichi; JP
TAMADA, Yoshiko; JP
NAKAYAMA, Yasushi; JP
HAYASHIDA, Yukimasa; JP
Agent: INABA, Tadahiko; JP
Priority Data:
2014-02392311.02.2014JP
Title (EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE À SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE
(JA) 電力用半導体モジュール
Abstract:
(EN) Provided is a power semiconductor module capable of suppressing breakage of a power semiconductor element due to a surge voltage by reducing inductance between wiring lines in the power semiconductor module. This power semiconductor module is characterized in being provided with: positive and negative arms, each of which is configured by connecting self-arc-extinguishing semiconductor elements (6) in series, and has connecting points among the self-arc-extinguishing semiconductor elements (6); and a substrate (2) having formed thereon positive electrode-side direct current electrodes (10), negative electrode-side direct current electrodes (11), and alternating current electrodes (12), said positive electrode-side direct current electrodes, negative electrode-side direct current electrodes, and alternating current electrodes being connected to the positive and negative arms, and wiring patterns (3, 4), which connect the self-arc-extinguishing semiconductor elements (6) of the positive and negative arms with the positive electrode-side direct current electrodes (10), the negative electrode-side direct current electrodes (11), and the alternating current electrodes (12). The power semiconductor module is also characterized in that the positive electrode-side direct current electrode (10), the negative electrode-side direct current electrode (11), and the alternating current electrode (12) are insulated, and two of the respective electrodes are disposed to face each other.
(FR) L'invention concerne un module à semi-conducteurs de puissance qui peut empêcher la rupture d'un élément semi-conducteur de puissance due à une surtension transitoire par réduction de l'inductance entre les lignes de câblage dans le module à semi-conducteurs de puissance. Ce module à semi-conducteurs de puissance est caractérisé en ce qu'il comprend : des bras positif et négatif, dont chacun est configuré en raccordant en série des éléments semi-conducteurs à extinction automatique de l'arc électrique (6), et présente des points de connexion entre les éléments semi-conducteurs à extinction automatique de l'arc électrique (6); et un substrat (2) sur lequel sont formées des électrodes à courant continu côté électrode positive (10), des électrodes à courant continu côté électrode négative (11) et des électrodes à courant alternatif (12), lesdites électrodes à courant continu côté électrode positive, lesdites électrodes à courant continu côté électrode négative et lesdites électrodes à courant alternatif étant raccordées aux bras positif et négatif, et des motifs de câblage (3, 4) qui raccordent les éléments semi-conducteurs à extinction automatique de l'arc électrique (6) des bras positif et négatif aux électrodes à courant continu côté électrode positive (10), aux électrodes à courant continu côté électrode négative (11) et aux électrodes à courant alternatif (12). Le module à semi-conducteurs de puissance est également caractérisé en ce que les électrodes à courant continu côté électrode positive (10), les électrodes à courant continu côté électrode négative (11) et les électrodes à courant alternatif (12) sont isolées et l'électrode à courant alternatif (12) et deux des électrodes respectives sont disposées l'une en face de l'autre.
(JA) 電力用半導体モジュール内部における配線間でのインダクタンスを低減し、サージ電圧による電力用半導体素子の破壊が抑制可能な電力用半導体モジュールを得る。自己消弧型半導体素子(6)を直列接続して構成され、自己消弧型半導体素子(6)間に接続点を有する正負アームと、正負アームに接続される正極側直流電極(10)、負極側直流電極(11)、および交流電極(12)と、正負アームの自己消弧型半導体素子(6)と正極側直流電極(10)、負極側直流電極(11)、および交流電極(12)とを接続する配線パターン(3,4)が形成された基板(2)とを備えた電力用半導体モジュールであって、正極側直流電極(10)、負極側直流電極(11)、および交流電極(12)は、それぞれが絶縁され、それぞれの電極のうち2つが対向して配置されたことを特徴とする電力用半導体モジュール。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)