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1. (WO2015121861) SENSING DEVICE HAVING A BICMOS TRANSISTOR AND A METHOD FOR SENSING ELECTROMAGNETIC RADIATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/121861    International Application No.:    PCT/IL2015/050161
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 12.02.2015
IPC:
H01L 31/08 (2006.01), G01J 5/10 (2006.01)
Applicants: TECHNION RESEARCH AND DEVELOPMENT FOUNDATION LTD. [IL/IL]; Technion City, Malat Bldg. 3200004 Haifa (IL)
Inventors: NEMIROVSKY, Yael; (IL)
Agent: RECHES, Oren; (IL)
Priority Data:
61/940,385 15.02.2014 US
Title (EN) SENSING DEVICE HAVING A BICMOS TRANSISTOR AND A METHOD FOR SENSING ELECTROMAGNETIC RADIATION
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION COMPORTANT UN TRANSISTOR BICMOS ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE DÉTECTER UN RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE
Abstract: front page image
(EN)A method and a sensing device are provided. The sensing device may include a readout circuit, a bulk, a holding element and a heterojunction bipolar transistor; wherein heterojunction bipolar transistor is configured to generate detection signals responsive to a temperature of at least a portion of the heterojunction bipolar transistor; wherein the holding element is configured to support the heterojunction bipolar transistor; wherein the heterojunction bipolar transistor is thermally isolated from the bulk; wherein the readout circuit is electrically coupled to the heterojunction bipolar transistor; and wherein the readout circuit is configured to receive the detection signals and to process the detection signals to provide information about electromagnetic radiation that affected the temperature of the at least portion of the heterojunction bipolar transistor.
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif de détection. Le dispositif de détection peut comprendre un circuit de lecture, une masse, un élément de support et un transistor bipolaire à hétérojonction, le transistor bipolaire à hétérojonction étant configuré pour générer des signaux de détection en réponse à une température d'au moins une partie du transistor bipolaire à hétérojonction, l'élément de support étant configuré pour supporter le transistor bipolaire à hétérojonction, le transistor bipolaire à hétérojonction étant thermo-isolé de la masse, le circuit de lecture étant raccordé électriquement au transistor bipolaire à hétérojonction et le circuit de lecture étant configuré pour recevoir les signaux de détection et pour traiter les signaux de détection afin de fournir des informations concernant un rayonnement électromagnétique qui affecte la température d'au moins une partie du transistor bipolaire à hétérojonction.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)