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1. (WO2015121516) ION SENSOR BASED ON DIFFERENTIAL MEASUREMENT, AND PRODUCTION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2015/121516 International Application No.: PCT/ES2015/070063
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 29.01.2015
IPC:
G01N 27/414 (2006.01)
Applicants: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTÍFICAS (CSIC)[ES/ES]; C/ Serrano, 117 E-28006 Madrid, ES
Inventors: BALDI COLL, Antoni; ES
DOMÍNGUEZ HORNA, Carlos; ES
JIMÉNEZ JORQUERA, Cecilia; ES
FERNÁNDEZ SÁNCHEZ, César; ES
LLOBERA ADAN, Andreu; ES
MERLOS DOMINGO, Ángel; ES
CADARSO BUSTO, Alfredo; ES
BURDALLO BAUTISTA, Isabel; ES
VERA GRAS, Ferrán; ES
Agent: PONS ARIÑO, Ángel; ES
Priority Data:
P20143018011.02.2014ES
Title (EN) ION SENSOR BASED ON DIFFERENTIAL MEASUREMENT, AND PRODUCTION METHOD
(FR) CAPTEUR D'IONS FONDÉ SUR UNE MESURE DIFFÉRENTIELLE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ES) SENSOR DE IONES BASADO EN MEDIDA DIFERENCIAL Y MÉTODO DE FABRICACIÓN
Abstract: front page image
(EN) The invention relates to an ion sensor based on differential measurement, comprising an ISFET/REFET pair, wherein the REFET is defined by a structure formed by an ISFET covered by a micro-reservoir containing an internal reference solution. The sensor comprises: a first and a second ion-selective field effect transistor; an electrode; a substrate on the surface of which the two transistors, connection tracks and the electrode are integrated; and a structure adhered to the first ion-selective field effect transistor, creating a micro-reservoir on the gate of said first transistor, said micro-reservoir having a micro-channel connecting the micro-reservoir with the exterior, and said micro-reservoir being filled with the reference solution.
(FR) L'invention concerne un capteur d'ions fondé sur une mesure différentielle qui comprend une paire de transistors ISFET-REFET dans laquelle le REFET est défini par une structure composée d'un ISFET recouvert par un microdépôt où est contenue une solution interne de référence. Le capteur comprend un premier et un deuxième transistor à effet de champ sélectif d'ions, une électrode, un substrat sur la surface duquel son intégrés les deux transistors, des pistes de connexion et l'électrode et une structure collée sur le premier transistor à effet de champ sélectif d'ions qui crée un microdépôt sur la porte du premier transistor, le microdépôt présentant un microcanal qui le relie à l'extérieur et étant rempli de la solution de référence.
(ES) Sensor de iones basado en medida diferencial que comprende un par ISFET-REFET en que el REFET viene definido por una estructura compuesta de un ISFET cubierto por un microdepósito donde está contenida una solución interna de referencia. El sensor comprende un primer y un segundo transistor de efecto de campo selectivo a iones, un electrodo, un sustrato sobre cuya superficie se integran los dos transistores, unas pistas de conexión y el electrodo y una estructura adherida sobre el primer transistor de efecto de campo selectivo a iones que crea un microdepósito sobre la puerta de dicho primer transistor, teniendo el microdepósito un microcanal que conecta el microdepósito con el exterior y estando el microdepósito lleno de la solución de referencia.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Spanish (ES)
Filing Language: Spanish (ES)