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1. (WO2015120893) METHOD OF COATING A SUBSTRATE SO AS TO PROVIDE A CONTROLLED IN-PLANE COMPOSITIONAL MODULATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/120893    International Application No.:    PCT/EP2014/052831
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 13.02.2014
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/32 (2006.01), C23C 14/28 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01)
Applicants: MIMSI MATERIALS AB [SE/SE]; Mjärdevi Science Park Teknikringen 7 583 30 Linköping (SE)
Inventors: SARAKINOS, Konstantinos; (SE).
MAGNFÄLT, Daniel; (SE)
Agent: BOKINGE, Ole; Awapatent Ab Junkersgatan 1 S-582 35 Linköping (SE)
Priority Data:
Title (EN) METHOD OF COATING A SUBSTRATE SO AS TO PROVIDE A CONTROLLED IN-PLANE COMPOSITIONAL MODULATION
(FR) PROCÉDÉ DE REVÊTEMENT D'UN SUBSTRAT POUR CONFÉRER UNE MODULATION DE COMPOSITION CONTRÔLÉE DANS LE PLAN
Abstract: front page image
(EN)The present disclosure provides a method of coating a substrate so as to provide a controlled in-plane compositional modulation. The method comprises providing a first target of a first material or material composition, providing a second target (104, 204, 304) of a second material or material composition, different from the first material or material composition; activating the first and second targets (103, 104; 203 204; 303, 304) to release particles by evaporation, sublimation or sputtering; and causing the released particles to impinge onto the substrate (102, 202, 302) such that the substrate is coated. Activation of one of the targets (103, 104; 203 204; 303, 304) includes providing a series of activation pulses, such that pulsed evaporation, sublimation or sputtering of particles is provided, while the other one of the targets (103, 104; 203 204; 303, 304) is substantially passive. The first and second target materials or material compositions present a respective homologous temperature, defined as a ratio (Ts/Tmi) of the substrate temperature (Ts) to the target material melting temperature (Tmi) of the target material (i) having the lowest melting temperature (Tmi), a miscibility (ΔHmixAB), as defined by a mixing enthalpy of the target materials or material compositions, wherein the mixing enthalpy of the materials greater than zero is defined as immiscible and a mixing enthalpy of the materials less than zero is defined as miscible; and a two-dimensional or three-dimensional growth mode. In the method, the homologous temperature is greater than 0.1 and less than 0.5 and the amount of material deposited per pulse train from each target material is greater than 0.1 monolayer and less than 100 monolayers, preferably less than 50 monolayers, less than 10 monolayers or less than 2 monolayers.
(FR)La présente invention concerne un procédé de revêtement d'un substrat pour conférer une modulation de composition contrôlée dans le plan. Le procédé comprend l'obtention d'une première cible d'un premier matériau ou d'une première composition de matériaux, l'obtention d'une seconde cible (104, 204, 304) d'un second matériau ou d'une seconde composition de matériaux, différent(e) du premier matériau ou de la première composition de matériau ; l'activation de la première et de la seconde cible (103, 104 ; 203, 204 ; 303, 304) pour libérer des particules par évaporation, sublimation ou pulvérisation ; et le fait d'amener les particules libérées à frapper le substrat (102, 202, 302) pour que le substrat soit revêtu. L'activation de l'une des cibles (103, 104 ; 203, 204 ; 303, 304), comprend l'utilisation d'une série d'impulsions d'activation, pour qu'une sublimation, une pulvérisation ou une évaporation pulsée de particules soit obtenue, tandis que l'autre cible (103, 104 ; 203, 204 ; 303, 304) est essentiellement passive. Les premier et second matériaux des cibles ou les première et seconde compositions de matériaux des cibles présentent une température homologue respective, définie comme étant un rapport (Ts/Tm i) de la température du substrat (Ts) sur la température de fusion du matériau de la cible (Tm i) du matériau de cible (i) ayant la température de fusion la plus basse (Tm i), une miscibilité (ΔHmix AB), telle que définie par une enthalpie de mélange des matériaux ou compositions de matériaux des cibles, une enthalpie de mélange des matériaux supérieure à zéro indiquant un caractère d'immiscibilité et une enthalpie de mélange des matériaux inférieure à zéro indiquant un caractère de miscibilité ; et un mode de croissance bidimensionnelle ou tridimensionnelle. Dans le procédé, la température homologue est supérieure à 0,1 et inférieure à 0,5 et la quantité de matière déposée par une série d'impulsions provenant de chaque matériau de cible est supérieure à 0,1 monocouche et inférieure à 100 monocouches, de préférence inférieure à 50 monocouches, inférieure à 10 monocouches ou inférieure à 2 monocouches.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)