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Pub. No.: WO/2015/120583 International Application No.: PCT/CN2014/071987
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 12.02.2014
H01L 31/107 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.[CN/CN]; Huawei Administration Building, Bantian, Longgang Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventors: YU, Changliang; CN
LIAO, Zhenxing; CN
ZHAO, Yanli; CN
Priority Data:
(ZH) 一种雪崩光电二极管及其制造方法
Abstract: front page image
(EN) An avalanche photodiode and a manufacturing method therefor, which relates to the field of communications and can solve the problem that a dark current of an existing avalanche photodiode is high. The avalanche photodiode comprises: a germanium GeOI substrate on an insulator, and intrinsic germanium (I-Ge) absorption layer (31), used for absorbing a light signal and generating a photon-generated carrier; a first p-type silicon germanium (SiGe) layer (23), a second p-type silicon germanium (SiGe) layer (24),a first silicon germanium (SiGe) layer (21), and a second silicon germanium (SiGe) layer (22), the content of Si in the silicon germanium (SiGe) layer being lower than 20%; a first silicon dioxide (SiO2) oxide layer (72) and a second silicon dioxide (SiO2) oxide layer (73); a first Taper-type silicon (Si) waveguide layer (11) and a second Taper-type silicon (Si) waveguide layer (12); a n-type heavily-doped Si multiplication layer (13); and an anode electrode (61) and a cathode electrode (62).
(FR) La présente invention, qui se rapporte au domaine des communications, concerne une photodiode à avalanche et son procédé de fabrication, et permet de résoudre le problème lié au niveau élevé de courant d'obscurité d'une photodiode à avalanche existante. La photodiode à avalanche comprend : un substrat GeOI de germanium sur un isolant, et une couche d'absorption (31) de germanium intrinsèque (I-Ge), utilisée pour absorber un signal lumineux et pour générer une porteuse générée par photons ; une première couche (23) de silicium-germanium (SiGe) de type p, une seconde couche (24) de silicium-germanium (SiGe) de type p, une première couche (21) de silicium-germanium (SiGe), et une seconde couche (22) de silicium-germanium (SiGe), la teneur en Si dans la couche de silicium-germanium (SiGe) étant inférieure à 20 % ; une première couche d'oxyde (72) de dioxyde de silicium (SiO2) et une seconde couche d'oxyde (73) de dioxyde de silicium (SiO2) ; une première couche guide d'ondes (11) en silicium (Si) de type conique et une seconde couche guide d'ondes (12) en silicium (Si) de type conique ; une couche de multiplication (13) en Si fortement dopée de type n ; et une électrode d'anode (61) et une électrode de cathode (62).
(ZH) 一种雪崩光电二极管及其制造方法,涉及通信领域,能够解决现有雪崩光电二极管暗电流较大的问题,该雪崩光电二极管包括:绝缘体上锗GeOI衬底,本征锗I-Ge吸收层(31),用于吸收光信号,产生光生载流子;第一p型锗硅SiGe层(23)、第二p型锗硅SiGe层(24),第一锗硅SiGe层(21)、第二锗硅SiGe层(22),其中,锗硅SiGe层中Si的含量小于等于20%;第一二氧化硅SiO2氧化层(72),第二二氧化硅SiO2氧化层(73);第一Taper型硅Si波导层(11)、第二Taper型硅Si波导层(12);n型重掺杂Si倍增层(13);阳极电极(61)和阴极电极(62)。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)