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1. (WO2015120513) ELECTROSTATIC CONTROL OF METAL WETTING LAYERS DURING DEPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/120513    International Application No.:    PCT/AU2015/050026
Publication Date: 20.08.2015 International Filing Date: 28.01.2015
IPC:
B82B 1/00 (2006.01), C23C 16/00 (2006.01), C23C 4/06 (2006.01)
Applicants: BUTCHER, Kenneth Scott Alexander [AU/CA]; (CA)
Inventors: BUTCHER, Kenneth Scott Alexander; (CA)
Agent: DAVIES COLLISON CAVE; Level 14, 255 Elizabeth Street Sydney, New South Wales 2000 (AU)
Priority Data:
2014900403 11.02.2014 AU
2014901976 26.05.2014 AU
Title (EN) ELECTROSTATIC CONTROL OF METAL WETTING LAYERS DURING DEPOSITION
(FR) CONTRÔLE ÉLECTROSTATIQUE DE COUCHES DE MOUILLAGE DE MÉTAL PENDANT UN DÉPÔT
Abstract: front page image
(EN)There is disclosed a system for the electrostatic control of a metal wetting layer during deposition and a method of electrostatically controlling a metal wetting layer during deposition using a deposition system. In one example, control of the metal wetting layer is provided by changing or applying an electrostatic field acting on a deposited material or acting on a substrate on which a material is deposited. In another example, control is of the thickness of the metal wetting layer. In another example, control is of the presence or absence of the metal wetting layer. The metal wetting layer can be a liquid metal or liquid metal alloy, for example the metal wetting layer could be Boron, Aluminium, Indium, Gallium or Thallium. In another example, control is of the thickness, or presence, of a Gallium wetting layer during GaN film growth.
(FR)L'invention porte sur un système permettant un contrôle électrostatique d'une couche de mouillage de métal pendant un dépôt et sur un procédé de contrôle électrostatique d'une couche de mouillage de métal pendant un dépôt à l'aide d'un système de dépôt. Selon un exemple, le contrôle de la couche de mouillage de métal est réalisé par modification ou application d'un champ électrostatique agissant sur un matériau déposé ou agissant sur un substrat sur lequel est déposé un matériau. Selon un autre exemple, le contrôle est un contrôle de l'épaisseur de la couche de mouillage de métal. Selon un autre exemple, le contrôle est un contrôle de la présence ou de l'absence de la couche de mouillage de métal. La couche de mouillage de métal peut être un métal liquide ou un alliage de métal liquide, par exemple la couche de mouillage de métal peut être le bore, l'aluminium, l'indium, le gallium ou le thallium. Selon un autre exemple, le contrôle est un contrôle de l'épaisseur ou de la présence d'une couche de mouillage du gallium pendant la croissance d'un film de nitrure de gallium (GaN).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)