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1. (WO2015120192) HIGH-PERFORMANCE LED FABRICATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/120192    International Application No.:    PCT/US2015/014680
Publication Date: 13.08.2015 International Filing Date: 05.02.2015
IPC:
H01L 33/60 (2010.01)
Applicants: SORAA, INC. [US/US]; 6500 Kaiser Drive Fremont, California 94555 (US)
Inventors: ALDAZ, Rafael; (US).
ANKIREDDI, Sai; (US).
CICH, Michael J.; (US).
DAVID, Aurelien J.F.; (US).
DELILLE, Remi; (US).
HURNI, Christophe; (US).
KIM, Patrick; (US).
KRAMES, Michael Ragan; (US).
THOMSON, John; (US)
Agent: LAMBERT, William R.; (US)
Priority Data:
61/936,000 05.02.2014 US
61/989,693 07.05.2014 US
62/093,855 18.12.2014 US
Title (EN) HIGH-PERFORMANCE LED FABRICATION
(FR) FABRICATION DE DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES DE HAUTE PERFORMANCE
Abstract: front page image
(EN)High-performance light-emitting diode together with apparatus and method embodiments thereto are disclosed. The light emitting diode devices emit at a wavelength of 390 nm to 470 nm or at a wavelength of 405 nm to 430 nm. Light emitting diode devices are characterized by having a geometric relationship (e.g., aspect ratio) between a lateral dimension of the device and a vertical dimension of the device such that the geometric aspect ratio forms a volumetric light emitting diode that delivers a substantially flat current density across the device (e.g., as measured across a lateral dimension of the active region). The light emitting diode devices are characterized by having a current density in the active region of greater than about 175 Amps/cm2.
(FR)L'invention porte, selon des modes de réalisation, sur une diode électroluminescente de haute performance ainsi que sur un appareil et sur un procédé. Les dispositifs à diodes électroluminescentes émettent à une longueur d'onde comprise entre 390 nm et 470 nm ou à une longueur d'onde comprise entre 405 nm et 430 nm. Des dispositifs à diodes électroluminescentes sont caractérisés en ce qu'ils présentent une relation géométrique (par exemple, un rapport d'aspect) entre une dimension latérale du dispositif et une dimension verticale du dispositif de telle sorte que le rapport d'aspect géométrique forme une diode électroluminescente volumétrique qui délivre une densité de courant sensiblement plate à travers le dispositif (par exemple, telle que mesurée à travers une dimension latérale de la région active). Les dispositifs à diodes électroluminescentes sont caractérisés en ce qu'ils présentent une densité de courant dans la région active supérieure à environ 175 amp/cm2.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)