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1. (WO2015119690) THERMALLY-ASSISTED COLD-WELD BONDING FOR EPITAXIAL LIFT-OFF PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/119690    International Application No.:    PCT/US2014/065003
Publication Date: 13.08.2015 International Filing Date: 11.11.2014
IPC:
H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN [US/US]; Office Of Technology Transfer 1600 Huron Parkway 2nd Floor Ann Arbor, MI 48109 (US)
Inventors: FORREST, Stephen, R.; (US).
LEE, Kyusang; (US)
Agent: MCDAVID, Christopher, L.; (US)
Priority Data:
61/902,775 11.11.2013 US
Title (EN) THERMALLY-ASSISTED COLD-WELD BONDING FOR EPITAXIAL LIFT-OFF PROCESS
(FR) LIAISON PAR SOUDAGE À FROID À ASSISTANCE THERMIQUE POUR UN PROCÉDÉ DE DÉCOLLEMENT ÉPITAXIAL
Abstract: front page image
(EN)A process for assembling a thin-film optoelectronic device is disclosed. The process may include providing a growth structure comprising a wafer having a growing surface, a sacrificial layer, and a device region. The process may further include providing a host substrate and depositing a first metal layer on the device region and depositing a second metal layer on the host substrate. The process may further include bonding the first metal layer to the second metal layer by pressing the first and second metal layers together at a bonding temperature, wherein the bonding temperature is above room temperature and below the lower of a glass transition temperature of the host substrate and a melting temperature of the host substrate.
(FR)La présente invention concerne un procédé d'assemblage d'un dispositif optoélectronique à couches minces. Le procédé peut consister à utiliser une structure de croissance comprenant une tranche dotée d'une surface de croissance, une couche sacrificielle, et une région de dispositif. Ledit procédé peut consister en outre à utiliser un substrat hôte, à déposer une première couche métallique sur la région de dispositif, et à déposer une seconde couche métallique sur le substrat hôte. Ce procédé peut consister également à relier la première couche métallique à la seconde couche métallique grâce à une pression exercée sur les première et seconde couches métalliques à une température de liaison, la température de liaison étant supérieure à la température ambiante et inférieure à la température la plus basse parmi la température de transition vitreuse et la température de fusion du substrat hôte.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)