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1. (WO2015119420) FOUR-TERMINAL FET FOR BATTERY CHARGE/DISCHARGE CONTROL CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/119420    International Application No.:    PCT/KR2015/001132
Publication Date: 13.08.2015 International Filing Date: 04.02.2015
IPC:
H01L 29/772 (2006.01), H01M 10/44 (2006.01), H02J 7/10 (2006.01)
Applicants: JUNG, Duckyoung [KR/KR]; (KR)
Inventors: JUNG, Duckyoung; (KR)
Priority Data:
10-2014-0013349 06.02.2014 KR
Title (EN) FOUR-TERMINAL FET FOR BATTERY CHARGE/DISCHARGE CONTROL CIRCUIT
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP (FET) À QUATRE BORNES POUR CIRCUIT DE COMMANDE DE CHARGE/DÉCHARGE DE BATTERIE
(KO) 배터리의 충방전 제어회로를 위한 4-단자 FET
Abstract: front page image
(EN)A novel structure of a battery protection circuit (figure 4) has been provided in Korean Patent Application No. 10-2013-0067579, and unlike a general FET, a current-pass FET (401 in figure 4) that should be used requires a bulk node. Therefore, if the size of a unit cell is increased due to the extraction of the bulk node of the FET, the same charge/discharge control effect cannot be accomplished by using an FET size 1/4 the size of a conventional FET provided in the patent application. The present invention can be applied to a battery charge/discharge control circuit using a single current-pass control FET (301 in figure 3) presented in Korean Patent Application No. 10-2013-0067579, thereby making a four-terminal FET in which the size of a unit cell is small.
(FR)Une nouvelle structure d'un circuit de protection de batterie (figure 4) a été fournie dans la demande de brevet coréen No. 10 -2013 -0067579, et contrairement à un transistor à effet de champ (FET) général, un FET de passage de courant (401 dans la figure 4) qui devrait être utilisé nécessite un noeud de substrat. Ainsi, si la taille d'une cellule d'unité est augmentée en raison de l'extraction du nœud de substrat du FET, le même effet de commande de charge/décharge ne peut pas être accompli à l'aide d'une taille de FET de 1/4 de la taille d'un FET classique fourni dans la demande de brevet. La présente invention peut être appliquée à un circuit de commande de charge/décharge de batterie à l'aide d'un seul FET de commande de passage de courant (301 dans la figure 3) présenté dans la demande de brevet coréen No. 10 -2013 -0067579, ce qui permet de réaliser un FET à quatre bornes dans lequel la taille d'une cellule d'unité est petite.
(KO)특허 출원번호 10-2013-0067579 는 배터리 보호회로의 새로운 구조(도면-4)를 제시하였으며, 사용해야 하는 전류패스 FET(도면4-401)은 상용 FET와는 다르게 벌크 노드가 필요하며, 따라서 상기 FET의 벌크 노드 추출로 인하여 단위 셀 사이즈가 증가한다면, 상기 특허가 제시하는 기존 FET 사이즈의 1/4의 FET 사이즈로 동일한 충방전 제어효과는 이루어지지 못할 것이다. 본 발명은 상기된 특허 출원번호 10-2013-0067579에 설명하고 있는 하나의 전류패스 제어용 FET(도면3-301)를 이용한 배터리 충방전 제어회로에 적용할 수 있고, 단위 셀 사이즈가 작은 4-단자 FET를 만드는 것이다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)