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1. (WO2015119239) TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND ELECTRONIC DEVICE FORMED USING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/119239    International Application No.:    PCT/JP2015/053363
Publication Date: 13.08.2015 International Filing Date: 06.02.2015
IPC:
H01B 5/14 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01)
Applicants: LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001 (JP)
Inventors: HARA Tsutomu; (JP).
NAGANAWA Satoshi; (JP).
NAGAMOTO Koichi; (JP)
Agent: EMORI Kenji; (JP)
Priority Data:
2014-021982 07.02.2014 JP
Title (EN) TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND ELECTRONIC DEVICE FORMED USING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
(FR) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE FORMÉ À L'AIDE D'UN FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
(JA) 透明導電フィルム、透明導電フィルムの製造方法、及び透明導電フィルムを用いてなる電子デバイス
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a transparent conductive film having excellent moist heat characteristics, a method for producing said transparent conductive film, and an electronic device formed using such a transparent conductive film. This transparent conductive film is provided, on at least one side of a resin substrate, with a gas barrier layer and a zinc oxide film that is formed according to a sputtering method, wherein the zinc oxide film includes zinc oxide and is formed by doping gallium and indium, and if, in relation to the total content (100 atom%) of zinc content, gallium content, oxygen content, and indium content according to XPS elemental analysis measurement, the indium content is configured to a value within the range of 0.01-25 atom%, if the gallium content is configured to a value within the range of 0.1-10 atom%, if the initial specific resistance is termed ρ0, and if the specific resistance after storing for 500 hours under conditions of 60°C and 95% relative humidity is termed ρ500, then the ratio represented by ρ5000 is configured to a value of 1.5 or less, and the film thickness of the zinc oxide film is configured to a value within the range of 20-300 nm.
(FR)La présente invention concerne un film conducteur transparent ayant d'excellentes caractéristiques par chaleur humide, un procédé de production dudit film conducteur transparent, et un dispositif électronique formé à l'aide d'un tel film conducteur transparent. Ce film conducteur transparent comprend, sur au moins un côté d'un substrat de résine, une couche imperméable aux gaz et un film d'oxyde de zinc qui est formé selon un procédé de pulvérisation cathodique, le film d'oxyde de zinc comprenant de l'oxyde de zinc et étant formé par dopage de gallium et d'indium, et si, par rapport à la teneur totale (100 % atomique) de teneur en zinc, teneur en gallium, teneur en oxygène, et teneur en indium selon une mesure d'analyse élémentaire XPS, la teneur en indium est établie à une valeur comprise entre 0,01 et 25 % atomique, si la teneur en gallium est établie à une valeur comprise entre 0,1 et 10 % atomique, si la résistance spécifique initiale est appelée ρ0,, et si la résistance spécifique après stockage pendant 500 heures dans des conditions de 60 °C et 95 % d'humidité relative est appelée ρ500, alors le rapport représenté par ρ5000 est établi à une valeur maximale de 1,5, et l'épaisseur de film du film d'oxyde de zinc est établie à une valeur comprise entre 20 et 300 nm.
(JA) 優れた湿熱特性を有する透明導電フィルム、透明導電フィルムの製造方法及びそのような透明導電フィルムを用いてなる電子デバイスを提供する。 樹脂基材の少なくとも片面に、ガスバリア層と、スパッタリング法により形成してなる酸化亜鉛膜と、を備えた透明導電フィルム等であって、酸化亜鉛膜が、酸化亜鉛を含むとともに、ガリウム及びインジウムをドープしてなる酸化亜鉛膜であり、かつ、XPSの元素分析測定による亜鉛量、ガリウム量、酸素量、及びインジウム量の合計量(100atom%)に対して、インジウム量を0.01~25atom%の範囲内の値とし、ガリウム量を0.1~10atom%の範囲内の値とし、初期比抵抗をρ0とし、60℃、相対湿度95%の条件下、500時間、保管した後の比抵抗をρ500としたとき、ρ5000で表わされる比率を1.5以下の値とし、さらには、酸化亜鉛膜の膜厚を20~300nmの範囲内の値とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)