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Pub. No.:    WO/2015/119110    International Application No.:    PCT/JP2015/052980
Publication Date: 13.08.2015 International Filing Date: 03.02.2015
H01L 25/07 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Applicants: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP)
Inventors: YOSHIHARA, Katsuhiko; (JP).
SAITO, Masao; (JP)
Agent: MIYOSHI, Hidekazu; (JP)
Priority Data:
2014-020022 05.02.2014 JP
(JA) パワーモジュールおよびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A power module (20) provided with: a first metal circuit pattern (3); a semiconductor device (1) that is placed on the first metal circuit pattern (3); a lead frame (15) that is electrically connected to the semiconductor device (1); and a stress buffer layer (14) that is placed on the upper surface of the semiconductor device (1) and can buffer the thermal expansion coefficient difference between the semiconductor device (1) and the lead frame (15). The lead frame (15) is connected to the semiconductor device (1) via the stress buffer layer (14), the thermal expansion coefficient of the stress buffer layer (14) is equal to or less than the thermal expansion coefficient of the lead frame (15), and the cross-sectional shape of the stress buffer layer (14) is an L-shape. The provided power module and production method for the same suppress welding variations without damaging the semiconductor device, improve yield, and due to the structure of the lead frame, enable minimization, increased current capacity, and cost reduction.
(FR)L'invention concerne un module de puissance (20) qui comprend : un premier tracé de circuit en métal (3) ; un dispositif à semi-conducteurs (1) qui est placé sur le premier tracé de circuit en métal (3) ; une grille de connexion (15) qui est raccordée électriquement au dispositif à semi-conducteurs (1) ; et une couche tampon de contrainte (14) qui est placée sur la surface supérieure du dispositif semi-conducteurs (1) et peut mettre en mémoire tampon la différence de coefficient de dilatation thermique entre le dispositif à semi-conducteurs (1) et la grille de connexion (15). La grille de connexion (15) est raccordée au dispositif à semi-conducteurs (1) par l'intermédiaire de la couche tampon de contrainte (14), le coefficient de dilatation thermique de la couche tampon de contrainte (14) étant égal ou inférieur au coefficient de dilatation thermique de la grille de connexion (15) et la forme en coupe transversale de la couche tampon de contrainte (14) étant une forme de L. Le module de puissance et son procédé de production éliminent les variations de soudage sans endommager le dispositif à semi-conducteurs, améliorent le rendement et, en raison de la structure de la grille de connexion, permettent une minimisation, une capacité de courant accrue et une réduction des coûts.
(JA) パワーモジュール(20)は、第1金属回路パターン(3)と、第1金属回路パターン(3)上に配置された半導体デバイス(1)と、半導体デバイス(1)と電気的に接続されるリードフレーム(15)と、半導体デバイス(1)の上面に配置され、半導体デバイス(1)とリードフレーム(15)との間の熱膨張係数差を緩衝可能である応力緩衝層(14)とを備える。リードフレーム(15)は、応力緩衝層(14)を介して半導体デバイス(1)と接続されると共に、応力緩衝層(14)の熱膨張係数がリードフレーム(15)の熱膨張係数以下であり、かつ応力緩衝層(14)の断面形状がL字型である。リードフレーム構造により小型化・大電流容量化、低コスト化可能で、かつ半導体デバイスを損傷することなく溶接のバラツキを抑制し歩留まりを向上したパワーモジュールおよびその製造方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)